中科院微电子研究所在Ga₂O₃深紫外图像传感器领域取得重要进展

作者： 姜羽桐 2022-07-08
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集微网消息，中科院微电子研究所重点实验室科研人员首次实现基于超宽禁带半导体材料Ga2O3的背照式主动紫外图像传感器阵列，并在极弱光照条件下实现成像。

据悉，紫外成像在军事，航天，医疗等领域具有广泛用途。但高性能、低成本的紫外成像芯片目前还难以获得，且基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等宽禁带半导体的紫外探测器难以与Si基读出电路实现大规模集成，限制了高性能紫外成像芯片的制造与应用。

中科院微电子研究所消息称，该工作为基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等材料的可扩展、高密度图像传感器集成与应用提供了新的思路和解决方法。基于该成果的文章入选2022 VLSI。

（校对/Vinson）

责编： 韩秀荣
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