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英诺赛科携InnoGaN新品亮相第六届集微半导体峰会

来源:爱集微

#英诺赛科#

#集微峰会#

07-16 11:50

集微网消息,英诺赛科于2015年成立,是第三代半导体硅基氮化镓领域龙头,也是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。英诺赛科技术处全球第一梯队,产能国内第一,消费级市场中快充产品已领先于市场快速放量,未来数据中心、5G基站、新能源汽车等市场将持续接力构成公司增长曲线。

在7月15-16日的集微半导体峰会展台上,英诺赛科展示了多款氮化镓芯片和氮化镓参考方案,其中INN040LA015A、INN100W032A、INN650D080B三款新产品备受关注。据介绍,这三款新产品均为E-mode器件,耐压值分别为40V、100V、650V,面向不同的应用场景,实现系统的高效率。同时,三款芯片延续了 InnoGaN 家族低导通电阻、封装寄生参数小、超快开关速度、无反向恢复等诸多优点,为实现系统的高效率而生。

作为快充市场的重要组成部分,DC-DC电源芯片在众多领域都发挥着不可或缺的作用,比如氮化镓多口快充、车充、充电宝、户外电源、电动工具等。英诺赛科面向DC-DC等应用场景推出了增强型氮化镓场效应管 INN040LA015A,耐压40V,导阻1.5mΩ,可在-40℃到150℃下工作。采用晶圆级FCLGA5x4mm封装,相比传统封装MOS管体积大大缩小,同时其优化的走线更加方便高频大电流布线,拥有超低的寄生电容、无反向恢复,实现更高的功率密度。

第二款产品INN100W032A是英诺赛科面向同步整流、D类音频、高频DC-DC转换器等应用场景推出的增强型氮化镓功率管,适用于充电宝、户外电源、通信基站、电机驱动器等产品领域,有着极低的栅极电荷和超低导通电阻。耐压100V,导阻3.2mΩ,连续电流60A,脉冲电流可达230A,能够适应-40℃到150℃工作环境,零反向恢复电荷。采用FCSP 3.5mm x 2.13mm极小封装,大大节省占板面积。降低驱动损耗,提高工作频率。

第三款INN650D080B是一款增强型功率管,有着超高的开关频率,采用ESD防护设计,符合REACH 、RoHS规范,通过 JEDEC标准认证,可用于工业领域。采用DFN 8x8封装,耐压650V,导阻80mΩ,连续电流30A,脉冲电流可达59A,能够适应-55℃到150℃工作环境,有着低栅极电荷、低输出电荷的优点,提升电源转换效率。应用场景有 ACDC转换器、DCDC转换器、初级开关管、PFC升压、图腾柱无桥PFC、快充电池等。

展会现场,英诺赛科也展示了多款高低压应用设计方案,如140W PD3.1、240W PD3.1方案,200W led 驱动方案,以及应用于数据中心、激光雷达等参考设计,也获得了极高关注度。

值得一提的是,英诺赛科通过自主研发,攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题,首次实现8英寸硅基氮化镓外延与芯片的大规模量产,同时填补了国内在该领域的空白。在非常短的时间内,英诺赛科打破了美国技术垄断,实现了国产氮化镓芯片的崛起。

在国家战略层面,英诺赛科已被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业,也是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。

根据Trendforce 2021年数据,英诺赛科氮化镓功率产品全球市场占有率一举攀升至20%,跃升为全球第三。

凭借领先市场的技术储备、产能、客户,以及更具市场需求响应能力的IDM模式,英诺赛科必将在全球氮化镓应用爆发的浪潮中大放异彩。

今年2月,钛信资本完成对英诺赛科6.5亿元的D轮投资。钛信资本创始人高毅辉表示:“英诺赛科是氮化镓领域全球龙头,在团队、技术、产能、客户等方面都已达到领先的位置。英诺赛科聚集了来自全球知名半导体企业的氮化镓领域全球顶尖人才,具备丰富的研发、建厂、制造(工艺)和运营经验。公司成立不久就建成中国首条8英寸硅基氮化镓生产线,目前已经开始实现大规模量产,产能国内第一,还在持续快速爬升,公司客户开拓进展也远领先于竞争对手。随着氮化镓应用市场迎来快速增长,我们非常看好公司的成长潜力,将以充足的支持助力其全面发展。”(校对/Andy)

责编: 邓文标

占旭亮

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