美国一研究团队：立方砷化硼可克服硅作为半导体材料的两个限制

集微网消息，据科技日报报道，来自美国麻省理工学院、休斯顿大学和其他机构的一个研究团队进行的实验表明，一种名为立方砷化硼的材料克服了硅作为半导体的两个限制：为电子和空穴提供很高的迁移率，并具有良好的导热性能。研究人员说，它可能是迄今为止发现的最好的半导体材料。

据介绍，硅作为半导体材料，其性能仍存在缺陷。尽管硅中的电子很容易通过它的结构，但它的空穴迁移率较差。而其他材料，如广泛用于激光的砷化镓，同样具有良好的电子迁移率，但不具有空穴迁移率。更重要的是，硅不太善于传导热量，因此芯片温度总是过热。

新研究表明，砷化硼具有理想半导体所需的所有主要品质，因为它具有电子和空穴的高迁移率。研究人员指出，这一点很重要，因为在半导体中，正电荷和负电荷是相等的。因此，如果要制造一种设备，就希望有一种电子和空穴的移动阻力更小的材料。

科技日报消息称，到目前为止，立方砷化硼只在实验室规模进行了制造和测试，这些产品并不均匀，还需要更多的工作来确定能否以实用、经济的形式制造立方砷化硼。但研究人员表示，在不久的将来，人们可能发现这种材料的一些优势用途，其独特的性质将带来明显改观。（校对/施旭颖）