东芝第三代SiC MOS性能提升80%，将在8月下旬量产

集微网消息，据东芝近日官网宣布，他们的第三代SiC MOSFET 计划在今年8月下旬开始量产。

据了解，该新产品使用全新的器件结构，具有低导通电阻，且开关损耗与第二代产品相比降低了约 20% ！

2020年8月，东芝利用这项新技术量产了第二代SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。这是一种将SBD嵌入MOSFET的结构，将其与PN二极管 并联放置 ，能将可靠性提升 10倍 。

虽然上述器件结构可以显著提升可靠性，可它却有着无法规避的缺点 ——特定导通电阻和性能指标（Ron *Q gd）会增加，从而降低MOSFET的性能；此外，为了降低导通电阻，第二代SiC MOSFET必须增加芯片面积 ，而这也会带来成本的增加。

因此，东芝加紧对该器件 结构进行完善，并据此研发了第三代 SiC MOSFET。优化电流扩散层结构，缩少单元尺寸。经实验验证，相比第二代SiC MOSFET，东芝新的器件结构将特定导通电阻降低了 43% ，Ron *Qgd 降低了 80% ，开关损耗降低约 20% 。

东芝最新公告表明，采用新器件结构技术的第三代 SiC MOSFET 将在 8月量产 ，印证了东芝正在加紧布局SiC业务，并步入 IDM模式 的正轨。

今年Q1，东芝宣布将利用自身在半导体制造设备技术方面的优势，在内部生产用于功率半导体的 碳化硅外延片 ；并且投资 55亿 用于功率器件扩产，包括建设 8英寸 的碳化硅和氮化镓生产线。

东芝表示，未来这种“外延设备+外延片+器件”的垂直整合模式 ，有利于他们抢占铁路、海上风力发电、数据中心以及车载等市场。

（校对/黄仁贵）