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三星电子新芯片研发中心破土动工,计划2028年前投资150亿美元

来源:爱集微

#研发中心#

#三星#

08-19 14:19

集微网消息,8月19日,据路透社报道,三星电子周五表示,其在韩国的一个新半导体研发中心(R&D)破土动工,计划到2028年投资约20万亿韩元(150亿美元),以推动芯片技术的领先地位。

报道称,三星电子表示,位于首尔南部Giheung的新设施将引领下一代存储和系统芯片工艺和设备的研究,以及基于长期路线图的新技术开发。

"三星电子正在寻求克服半导体微缩的限制",其在一份声明中说。

报道称,获赦免的三星电子副会长李在镕出席了奠基仪式。

李在镕在仪式上表示:"我们需要继续我们先发制人的投资和注重技术的传统。”

三星电子方面称,李在镕后来会见了芯片业务员工,并单独会见了高管,讨论如何确保技术以扩大半导体领先地位的方法。(校对/武守哲)

责编: 武守哲

陈兴华

作者

微信:1121040800

邮箱:chenxh@ijiwei.com

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微信:1121040800 邮箱:chenxh@ijiwei.com 浩渺无极,芯潮澎湃。

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