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大阪大学等三校新技术让6G半导体导电性增至4倍

来源:爱集微

#大阪大学#

#6G#

2022-10-08

集微网消息,日经中文网8日报道,日本大阪大学、三重大学、美国康奈尔大学的研究团队开发出用于“6G”的半导体成膜技术。

据悉,研究团队开发出用氮化铝代替氮化铝镓的高电子迁移率晶体管(HEMT)制造技术。原来在成膜过程中氮化铝表面发生氧化,由此产生的氧杂质改变氮化铝的结晶,难以获得高导电性。通过形成非常薄的铝膜,还原表面的氧化膜,并使其挥发。由此,将导电性提高到原来的3—4倍。

其特点是不需要使用价格高的氮化铝基板,可以在直径约5厘米的较大蓝宝石基板上实现这一构造。由于这次是利用研究用的方法成膜,研究小组计划换成更实用的方法,在1年内试制出高电子迁移率晶体管。(校对/韩秀荣)

责编: 韩秀荣

姜羽桐

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