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3纳米制程良率低于20%?传三星与美企合作以提升良率

来源:爱集微

#三星#

2022-11-22

集微网消息,据台媒《工商时报》援引韩媒消息报道,市场传出三星3纳米制程良率不超过20%,为此三星已与美国公司Silicon Frontline Technology扩大合作以提高良率。

据悉,Silicon Frontline Technology提供芯片资格评估和静电放电(ESD)预防技术,ESD是导致半导体芯片缺陷的一大原因,防止或减少ESD将有助于提高芯片良率。

此前有消息称三星明年度旗舰机Galaxy S23将舍弃自家芯片,全数采用由台积电4纳米生产的高通下一代骁龙8 Gen 2处理器。

业内解读指出,三星宣布领先台积电生产3纳米芯片,却在最重要的手机产品线舍弃采用自家生产的手机芯片,全数搭载台积电操刀的高通处理器。这意味着,三星晶圆代工实力仍不及台积电,即便3纳米领先同行量产,在关键的芯片良率、功耗、效能表现仍不及台积电。

(校对/王云朗)

责编: 李梅

赵月

作者

微信:zhaoyueyue117288

邮箱:zhaoyue@lunion.com.cn

作者简介

关注硅晶圆、存储、CIS、电源管理IC、驱动IC、专利诉讼等领域。微信号:zhaoyueyue117288

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