东芯股份:明年可提供基于48nm工艺的512M NOR Flash样品

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集微网消息(文/杨艳柔)近日,东芯股份在接受机构调研时表示,目前公司主要有量产的65nm工艺和48nm工艺包括1.8V的64M-256M的NOR Flash产品,明年可以为公司的客户提供基于48nm工艺的512M和通过堆叠方式提供1Gb的样品。这些中大容量的产品主要应用在一些工业及高可靠性的应用场景中。此外公司也在积极布局3.3V的NOR产品,丰富产品线从而进入更多终端市场。

在SLC NAND竞争格局方面,东芯股份表示,SLC NAND目前全球的主要产能还是在韩国的三星、海力士,美国的美光,日本的凯侠以及台湾的华邦、旺宏这些IDM公司。目前在晶圆代工方面我们也是希望能和晶圆厂更积极的配合,得到更多产能支持才能为未来的市场份额打下基础,随着国外大厂对这个市场的逐步退出我们相信在SLC NAND这个市场里还有很大的市场空间。

关于DRAM市场空间的问询,东芯股份回应,利基型DRAM一年全球大约有100亿美金的市场,公司也会关注与利基DRAM产品相关的信息,我们目前涉及的产品包括标准的DDR3以及 低功耗的LPDDR1、2,主要的应用端还是在OTT、IPTV、IPC和模块类的应用等。

另外,东芯股份称,MCP产品的下游应用主要是模块类的客户,受到市场波动的影响较小。整个市场一方面是基于客户需求量的增长,另一方面主要是产业的升级迭代。

(校对/黄仁贵)

责编: 黄仁贵
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