清华大学研究组在低维半金属半导体接触研究中取得进展

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集微网消息,近日,清华大学物理系低维量子物理国家重点实验室博士生李炫璋在导师范守善院士和魏洋副研究员、张跃钢教授指导下,提出并发展了二维半导体的一维半金属接触。他们从实验上实现了具有亚2纳米接触长度的场效应晶体管器件。

据悉,这种混合维度半金属半导体接触相比二维异质结更为紧密,并且可以在外部电场的调控下实现肖特基接触和欧姆接触之间的切换。发展了纵向传输线模型,实现了短接触极限下的低维场效应晶体管各项电学参数的定量评估。基于该模型提取得到一维二维界面接触电阻率和接触电阻在欧姆接触模式下分别可低至10-6Ω·cm2和50 kΩ·μm,这在二维半导体的超短接触中处于领先水平。进一步证明一维半金属接触的独特能带结构使其功函数大范围可调,从而可以匹配具有不同带边位置的半导体,可用做MoS2,WS2,WSe2等材料的通用电极。该工作为未来集成电路元器件尺寸的进一步微缩提供了新的发展思路和重要方法。

清华物理系消息显示,该研究成果发表在Nature Communications上。该项工作得到科技部、国家自然科学基金、广东省重点领域研发计划、广东珠江人才计划地方创新研究团队项目、深圳基础研究项目和清华-富士康纳米科技研究中心的支持。(校对/姜羽桐)

责编: 姜羽桐
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