美国商务部下属的美国国家标准技术研究院（NIST）于3月21日正式发布“防止不当使用芯片法案资金”细则（“Preventing the Improper Use of CHIPS Act Funding）。细则中对传统芯片（Legacy Semiconductor）做了详细说明。
(1)28纳米或更成熟的数字或模拟逻辑半导体（即平面晶体管的栅极长度为28纳米或更长）；
(2)半间距大于18纳米的DRAM或小于128层的NAND半导体，不使用新兴存储器技术，例如过渡金属氧化物、相位-改变与高级存储器制造相关的存储器、钙钛矿或铁磁体；或者
(3)商务部根据15U.S.C.4652(a)(6)(A)(ii)条目的规定；
(b)尽管有本节(a)段的规定，但以下不是传统逻辑半导体：
(1)对国家安全至关重要的半导体，如§231.120所定义；
(2)具有后平面晶体管结构的半导体如FinFET或GAA结构和(3)以封装设施为目的，利用3D集成封装的半导体。
231.120条目规定的对国家安全至关重要的半导体设定为：
(a) 化合物半导体；
(b) 利用纳米材料的半导体，包括一维和二维碳同素异形体，例如石墨烯和碳纳米管；
(c) 宽带隙/超宽带隙半导体；
(d) RHBP（具有抗辐射处理的）半导体；
(e) FD-SOI半导体；
(f) 硅光子半导体；
(g) 为量子信息系统设计的半导体；和
(h) 设计用于低温环境（等于或低于77 Kelvin）的半导体。
