东微半导：Si2C MOSFET部分使用了碳化硅衬底

集微网消息，近日，有投资者在投资者互动平台提问：请问贵公司推出的Si2C MOSFET与SiC MOSFET相比，成本方面大概有多少的降幅?

东微半导(688261.SH)4月24日在投资者互动平台表示，公司的Si2C MOSFET部分使用了碳化硅衬底，减少了SiC材料的用量。Si2C MOSFET克服了传统SiC MOSFET成本高和Vth飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性。同时还实现了接近SiC MOSFET优秀的反向恢复能力，能够取代一部分SiC MOSFET的应用，在价格与性能之间找到了更好的平衡点。

截至发稿，东微半导市值为133.41亿元，股价为198.01元/股，较前一日收盘价下跌1.25%。