三星电子宣布12纳米级DDR5 DRAM已开始量产

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5月18日,三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。

据悉,与上一代产品相比,三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%,晶圆生产率提高了20%。三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料,这种新型材料有助于提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差,从而更易于准确地区分。同时,三星在降低工作电压和噪声方面的成果,也让此解决方案更加适用于客户公司的需求。

此外,三星为满足客户需求将持续扩大12纳米级DRAM的产品阵容,以支持越来越多的应用,助力数据中心、人工智能在内的下一代计算。(校对/刘沁宇)

责编: 赵碧莹
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