长鑫存储“半导体结构及其形成方法和存储器”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，长鑫存储技术有限公司“半导体结构及其形成方法和存储器”专利获授权，授权公告日为5月19日，授权公告号为CN113675146B。

图片来源：天眼查

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其形成方法和存储器，该半导体结构的形成方法包括：提供衬底，衬底内具有多条字线结构和有源区，衬底上具有位线连接柱，位线连接柱位于字线结构间隔区域的上方；位线结构通过位线连接柱与有源区连接；在衬底上形成第一牺牲层，第一牺牲层包括碳层；在第一牺牲层上形成第一沟槽，第一沟槽垂直于位线结构，第一沟槽暴露衬底；形成第一介质层，第一介质层填充第一沟槽及覆盖第一牺牲层的顶面；平坦化第一介质层，暴露第一牺牲层的顶面；去除第一牺牲层，在相邻第一介质层之间形成暴露衬底的第三沟槽；形成电容接触金属层，电容接触金属层填充第三沟槽及覆盖第一介质层的顶面，电容接触金属层的底部与有源区完全连接。（校对/韩秀荣）