思锐智能：聚焦“ALD + IMP”双主业布局，面向全球化助力产业高质量发展

集微网消息，8月9日-11日，第11届（2023年）中国电子专用设备工业协会半导体设备年会暨产业链合作论坛、第11届半导体设备材料与核心部件展示会（CSEAC）在江苏无锡举行。期间，集微网对话青岛四方思锐智能技术有限公司（以下简称“思锐智能”）董事长聂翔、副总经理陈祥龙。

“市场繁荣增长的另一面，是离子注入设备国产化率仅3%的现状，远低于去胶机、刻蚀设备、薄膜沉积设备等环节。”聂翔在10日的主峰会上围绕《“芯”挑战化为新机遇  思锐智能再出发》作主旨分享。他表示，希望通过加速离子注入设备的国产化，助力中国集成电路产业的高质量发展。

思锐智能董事长 聂翔

CSEAC 重磅发布“高能离子注入机系列”

思锐智能成立于2018年，总部位于青岛，并在北京、上海设有研发中心，其主要聚焦关键半导体前道工艺设备的研发、生产和销售，产品包括原子层沉积（ALD）设备及离子注入（IMP）设备，广泛应用于集成电路、第三代半导体、新能源、光学、零部件镀膜等领域。当前，思锐智能业务范围覆盖全球超过40个国家和地区，全球累计客户超过450家。

根据SIA数据，全球半导体设备大致可分为11大类、50多种机型。当前，前道设备用于晶圆制造过程，覆盖从光片到晶圆的成百上千道工序，主要有光刻机、刻蚀机、薄膜沉积机、离子注入机、CMP设备、清洗机、前道检测设备和氧化退火设备八大类。

陈祥龙介绍，半导体设备难度最高的应当首推“工业皇冠”的光刻机，其次是离子注入机。后者涉及大量基础学科，甚至包括基础物理、高能物理等，它对人才的需求及行业Know How的要求极高；此外，离子注入机应用于掺杂工艺，验证工作复杂且周期漫长。特别是高能离子注入机，涉及3000+零部件，目前国产化进程几乎处于空白状态。

CSEAC年会上，思锐智能重磅发布“高能离子注入机系列”。其中，SRII-8M机型最高能量达8MeV，以主流的RF射频加速技术和单晶圆传输架构为基础，向下兼容4.5M、3M机型，已通过SEMI S2 /S23 /S6 /F47 /Hazop 认证。

聂翔指出：“需要注意的是，高能机技术难度高，但市场却并非最大，不同的机型有不同的应用及技术方向。每一个半导体装备厂商，最后都会追求‘全系列’开发。思锐智能未来会根据整体节奏，从高能机走向大束流，向碳化硅整体去覆盖。”

大束流离子注入机方面，思锐智能将推出以宽带束流和单晶圆传输架构为基础、机台能量为0.2- 60keV的SRII-60系列产品，也可支持80keV的选配。此外，思锐智能低能大束流机型采用自主专利设计，例如高效的束流传输设计，其减速偏转路径短，可实现高效的束流传输，提高注入的效率和产能，同时也减少能量损耗。

ALD业务“多线出击”，两大优势树立竞争力

离子注入赛道稳步开拓的同时，思锐智能ALD业务也“多线出击”。

早在2018年成立之初，思锐智能即完成了对ALD技术发源地——芬兰倍耐克公司100%股权收购工作，迅速整合海外前沿技术研发资源，开展ALD技术国内外联合研发与国内产业化落地工作，建立了完善的ALD产品体系。聂翔介绍：“思锐智能并购整合的主方向围绕‘双转型’进行，从科研设备向工业战略型转型，从泛半导体向半导体转型。”

当前，思锐智能ALD业务进展迅速——GaN领域，2022年加入IMEC GaN Power IIAP项目组，与IMEC、GaN Power的IDM 和Fab厂商共同推进GaN功率应用的创新；Micro-LED领域，ALD设备在全球头部Micro-LED客户端验证通过，帮助提升产品发光效率；SiC领域，携手国内外客户共同开发ALD解决方案，其中一个重点方向就是采用ALD的工艺沉积栅极介质层以提升器件性能等。

陈祥龙表示，思锐智能ALD产品的优势从两方面体现。首先依托海外研发中心近40年的工艺积累，目前已获得初步成效，ALD相关解决方案在全球范围内具有竞争力；其次，客户在选择设备时，更多倾向于选择稳定可靠、长期迭代的方案，这使得客户和我们的粘性很强。

对于未来发展，聂翔表示，1-3年内，思锐智能仍将聚焦“双主业”——即“ALD + IMP”双轨发展布局，这在前道装备中是非常核心、关键的业务；长期看，我们将致力打造业务全球化。思锐智能自诞生始，就有海外并购的基因，在海外也有子公司，收到了来自全球的订单，全球化是我们非常重要的发展定位。

近年来，“半导体全球化已死”与“全球化不可逆”的讨论针锋相对。这对于立足国内、面向全球的思锐智能构成了一定挑战。聂翔对此回应：“客观说，当前国际环境的确不是全球化最好的时代。但我依然认为，半导体行业自诞生之日起就是全球化的，这是发展事实，也是产业潮流。”（校对/刘沁宇）