天眼查显示，中芯国际“一种半导体器件的形成方法及一种半导体器件”专利获授权，授权公告日为8月25日，授权公告号为CN111489970B。
该专利的专利权人为中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司。
图片来源：天眼查
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括提供衬底，在衬底上形成鳍部，在鳍部上形成伪栅极；移除伪栅极，在移除伪栅极后形成的伪栅极沟槽处形成栅极沟槽；在栅极沟槽内填充第一隔离层。本发明提供的半导体器件的形成方法，在鳍部和栅极的沟槽中填充隔离材料，有效地防止了鳍部两相邻的区域之间、以及相邻的两个鳍部之间产生漏电流，还可以避免鳍部中形成的源极和漏极之间的桥接现象。由此，半导体器件的性能得到了提高。
据悉，本发明还提供了一种由该方法形成的性能更稳定的半导体器件。（校对/刘沁宇）
