机构：今年全球宽禁带半导体市场规模将增47.1%，氧化镓器件或加速应用

集微网消息，日本知名分析机构矢野研究所（Yano Research Institute）日前发布了对SiC等宽禁带（WBG）半导体全球市场的研究结果。预计2023年全球市场规模为268.85亿日元（约合13亿元人民币），较上年增长47.1%，到2030年则有望达到3176.12亿日元（157亿元人民币）。

该机构指出，碳化硅无疑是当前宽禁带半导体中主要应用品类，SiC占市场总量的四分之三，预计2023年市场规模为202.93亿日元（成分比75.5%）、GaN为46.47亿日元（17.3%）、氧化镓为5.31亿日元、氮化铝为10.8亿日元、金刚石为3.35亿日元。

根据该机构研究，SiC市场正在进入全面增长期，快速增长的关键点将是从2025年起在汽车应用中的采用。GaN越来越多地被应用于LED照明应用，在功率器件和高频应用中具有优异的特性，并且随着增加晶圆直径和大量供应的传统挑战已经得到解决，GaN的市场渗透将进一步加速。氧化镓比碳化硅器件具有更高的成本和性能潜力，因此参与者的数量正在增加。

在金刚石领域，矢野研究所指出晶圆制造商IPO和联合研究的成果不断增加，材料和器件的开发不断取得进展。Aubray（原Adamant Namiki Precision Jewelry）即将开始供应2英寸直径的金刚石晶圆，Okuma Diamond Devices也准备批量生产使用金刚石的电子设备。

该机构展望，在2030年将达到3,176.12亿日元的市场大盘中。按材料分，SiC为3073.48亿日元，继续占据主导地位、GaN为52.8亿日元、氧化镓则将达到30.56亿日元，应用规模接近氮化镓水平。