长鑫存储“一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质”专利获授权

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天眼查显示,长鑫存储技术有限公司“一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质”专利获授权,授权公告日为9月15日,授权公告号为CN113837983B。

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专利摘要显示,本发明公开了一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质。该晶圆缺陷分析方法包括获取半导体制程工艺中每片晶圆的批次信息以及缺陷信息,缺陷信息包括热点缺陷信息;设定热点缺陷特征,从热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息;根据批次信息,追踪与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆,确定缺陷源。

据悉,在本发明实施例中,通过在半导体制程工艺中获取晶圆的批次信息以及热点缺陷信息,并根据热点缺陷特征筛选出目标热点缺陷信息,最后追踪目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆,确定缺陷源,提高了晶圆缺陷溯源的准确性。(校对/赵碧莹)

责编: 刘沁宇
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