英特尔先进制程发展来势汹汹,目标超越三星抢全球晶圆代工市占第二

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英特尔重返全球晶圆代工市场,虽然短期间内无法超越龙头台积电,但是英特尔仍将目标锁另一竞争对手三星,期望能先一步超越,预计2024年抢下全球晶圆代工市占排行第二。英特尔即将推出1.8纳米Intel 18A制程,除了展现实力,也宣示超越三星的决心。

市场人士表示,英特尔9月19日在加州圣荷西举办Intel Innovation 2023,发布首款采1.8纳米Intel 18A节点晶圆原型,2025年发布Intel 18A节点Panther Lake系列处理器。

2021年领导公司后,英特尔首席执行官Pat Gelsinger就设置四年内达成五种先进制程目标,有10纳米级Intel 7、7纳米级Intel 4、4 纳米级Intel 3、2纳米级 Intel 20A和1.8纳米级Intel 18A。英特尔已完成Intel 4制程,年底前完成Intel 3准备工作。

如果英特尔按计划在2025年成功开始量产1.8纳米级的产品,它将在先进半导体制程方面超越三星电子。目前已量产3纳米制程的三星,因为计划于2025年开始才全面生产2纳米制程,其所生产的芯片将主要用于移动产品上。之后,三星的1.4纳米制程则势预定在2027年开始量产,其虽然制程技术超越英特尔的Intel 18A的节点制程。但是,仍不能掩盖英特尔抢先量产2纳米级节点制程的事实。

专家表示,三星无法忽视英特尔想要超越自己的计划,但仍是艰巨挑战,因市场对英特尔先进制程能否确保良率有疑问。英特尔7纳米遭遇瓶颈,如良率不佳,使英特尔2018年退出代工业务。近年英特尔代工都专注自家产品,品质和良率能否满足客户需求还不确定。

先进制程良率方面,三星将比英特尔更具优势。三星已将GAA技术用于3纳米制程,且累积不少专业知识。英特尔计划Intel 20A产品采自家类似GAA的RibbonFET技术,但Intel 20A计划要到2024上半年才开始,良率还需一段时间提升,要与三星竞争恐怕还有差距。

责编: 爱集微
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