随着现代芯片设计复杂度的提升和特征尺寸的缩小，版图的分布规律变得更加不规则，同时光刻的工艺窗口也会变得更加狭窄。工艺窗口是指在满足成像精度的条件下，曝光量（EL）和焦面位置（DoF）允许的偏差范围。

理论和实验结果表明，适用于密集图形的EL和DoF并不适用于稀疏图形的曝光，这就导致了共同的工艺窗口缩小的问题。

为了扩大工艺窗口、提高成像精度，通常需要在较为稀疏的掩模图形周围添加一些微小的图形。这些图形的尺寸小于光刻机的分辨率，在曝光时不会被转移到光刻胶上，只对光线起到散射作用，增强目标图形光刻成像的分辨率。这些微小图形被称为亚分辨率辅助图形（SRAF ，Sub-resolution Assist Feature）。

“芯天成”基于规则的辅助图形工具EsseRBAF（RBAF，Rule-based Assist Feature），能够高效的为工业级全芯片版图开发全面、精确的亚分辨率辅助图形，使芯片制造在光刻工艺中获得更大的工艺窗口、更稳定的晶圆成像和更高质量的芯片制造。