11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用，将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
（来源：汾湖发布）
本次启用的英诺赛科（苏州）全球研发中心建筑面积3.5万平方米，将围绕“新一代信息功能材料及功率器件”和“战略型新兴产业”需求，重点发展第三代宽禁带半导体氮化镓材料及器件，致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台，包括芯片设计实验室、氮化镓外延材料实验室、芯片制造实验室、产品开发实验室、产品检测及可靠性分析实验室等。
此外，现场举行了有关项目贷款签约仪式。
据悉，2017年，英诺赛科新型半导体中国总部及研发中心项目签约汾湖，并成立英诺赛科（苏州）半导体有限公司。2018年6月，英诺赛科正式入驻汾湖，位于汾湖新型半导体产业园。2019年8月，英诺赛科芯片项目主厂房完成封顶。2020年9月，英诺赛科举行设备搬入仪式，标志世界首条IDM模式8英寸第三代化合物半导体硅基氮化镓大规模量产线从建设阶段正式进入试生产阶段。2021年6月，英诺赛科举行量产暨研发楼奠基仪式。2023年8月，英诺赛科氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗。（校对/韩秀荣）
