韩国SKMP开发出高厚度KrF光刻胶,可助力3D NAND闪存制造

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集微网消息,韩国SK集团于2020年斥资400亿韩元收购当地锦湖石化的电子材料业务,收购后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已开发出一种高厚度KrF光刻胶,并通过了SK海力士的性能验证,这将有利于SK海力士3D NAND闪存的技术开发。

据悉,SKMP开发的新型KrF光刻胶厚度为14~15微米,与东进半导体(DONGJIN SEMICHEM)向三星供应的产品类似,而日本JSR公司的类似产品厚度仅为10微米。

光刻胶的厚度对于提高3D NAND闪存工艺处理效率有较大帮助,但是更高的厚度也意味着技术难度更高,因为化学材料的粘性可能导致涂层表面不平整,这也是东进半导体目前仍是三星这类产品唯一供应商的原因。

随着SKMP加入竞争,SK海力士将能够用这款KrF光刻胶生产238层3D NAND闪存。SKMP很可能取代日本JSR的主导地位,成为其主要的供应商。

目前,SK海力士238层3D NAND闪存晶圆的月产能约为5000片,预计未来将进一步提升产能,从而带动SKMP公司光刻胶的销量。

SK海力士于2023年8月展示了世界首款321层NAND闪存芯片样品,属于TLC 4D NAND,容量高达1Tb,预计产品将于2025年量产。

(校对/赵月)

责编: 李梅
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