HBM市场将爆发“三国之战”

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集微网消息随着对生成式人工智能(AI)至关重要的高带宽内存(HBM)成为下一代内存半导体的主战场,三星电子和美光之间正在酝酿激烈的竞争,以抢夺目前由SK海力士垄断的英伟达HBM订单。

研究公司TrendForce(集邦咨询)预测英伟达将在今年12月完成对三星电子HBM3的验证。业内人士认为,三星电子目前正在向英伟达供应HBM3样品,根据下个月的验证结果,可能会获得正式合同。

英伟达的图形处理单元(GPU)是高价值产品,特别是高端H100型号,每个售价6000万韩元 (约4.65万美元)。这种高盈利能力使英伟达成为内存半导体领域潜在的游戏规则改变者。HBM市场的领导者SK海力士自去年以来一直独家向英伟达供应HBM3,领先于三星电子。此举帮助SK海力士将DRAM市场份额与三星电子的差距缩小至4.4个百分点。SK海力士的DRAM业务此前一直处于亏损状态,但在HBM和DDR5等高价值产品表现的提振下,今年第三季度和第四季度扭亏为盈。

由于美国存储芯片制造商美光将于明年量产其第五代HBM3e产品,业界预计HBM将爆发全面的“三国之战”。预计这三家公司将在英伟达即将推出的H200和B100 AI芯片所需的HBM3e供应方面展开激烈竞争。

据报道,随着英伟达计划使其HBM供应商多元化,以实现更高效的供应链管理,SK海力士的独占供货局面可能会结束,迎来竞争的时代。据TrendForce统计,美光已于7月,SK海力士于8月和三星电子于10月,提供了HBM3e样品。考虑到英伟达通常需要大约6个月的时间来验证HBM样本,供应量的轮廓预计将于明年出现。

分析师Hwang Min-sung指出:“从今年第二季度和第四季度开始,SK海力士的HBM就与竞争对手形成显著差异化,第三季度和第四季度差距进一步扩大。与通常的存储器世代需要1.5到2年的时间过渡不同,HBM只需1年的时间即可完成过渡,这为市场领导者SK海力士带来了优势。”

三星电子正计划凭借其“super-gap”技术扭转局面。去年10月在硅谷举行的“存储技术日”上,三星电子推出“Shinebolt”HBM3e DRAM,并宣布计划作为集成设备制造商(IDM)通过交钥匙(端到端)生产扩大其市场份额。此外,三星电子执行副总裁兼DRAM开发负责人Sang-jun Hwang透露,其第六代的HBM4正在开发中,计划将于2025年供应。

(校对/张杰

责编: 李梅
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