传三星芯片背面供电技术研发超预期,有望于明年量产

来源:爱集微 #三星# #芯片#
5899

集微网消息,目前三星、英特尔、台积电等均在研发芯片背面供电技术,可显著提高芯片能效并提高密度,有助于使现有高性能芯片进一步突破。据韩国业内人士2月28日透露,三星电子证实,该公司正在研发的“背面电源(BSPDN)”技术指标超出预期。

三星使用两种不同的Arm架构内核进行测试,成功将芯片面积分别缩小10%、19%,并且将芯片性能、频率效率提高个位数百分比。

据悉,传统的半导体电路通常将电源线路布置在晶圆顶端,然而随着电路的微小化,在同一面制造功能电路和电源电路已变得十分困难。随着线路间距的缩小,干扰也随之增大,从而增加设计和制造的难度,此外较长的电源线路也会增加发热。

背部供电技术可克服上述限制,将芯片功能电路与供电区域分开,有助于提高电源效率,特别适合移动设备应用处理器(AP)的生产。

三星电子原定于2027年对背面供电技术商业化,搭载于1.7nm制程,但近期的爆料显示,三星预计会修改路线图,最早将于2025年2nm制程应用该技术。

英特尔此前也宣布了类似技术,并命名为“PowerVia”,并计划在Intel 20A(2nm)制程应用。台积电同样在研发该技术,此前计划于2026年推出。

(校对/赵月)

责编: 张杰
来源:爱集微 #三星# #芯片#
THE END

*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创

关闭
加载

PDF 加载中...