挺进1nm！英特尔计划2027年开发或生产Intel 10A工艺

集微网消息，根据英特尔代工的最新路线图，此前未宣布的Intel 10A（1nm级）将于2027年底开始开发或生产（非大规模量产），标志着该公司首个1nm节点的到来。其Intel 14A（1.4nm级）节点将于2026年投入生产。如果这一情况成为现实，英特尔可能会领先于竞争对手台积电，预计到2025年或2026年，台积电将采用2nm，之后是1.4nm。

英特尔执行副总裁兼代工厂制造和供应部总经理Keyvan Esfarjani举行了会议，内容涵盖了该公司的最新发展，并展示了未来几年的路线图如何展开。

英特尔制定的“四年内五个节点”战略表明Intel 18A工艺将于2025年推出，然后继续奉行积极的节点进展战略。

英特尔尚未透露有关Intel 10A（1nm级）节点的任何细节，但表示新节点将带来至少两位数的功耗/性能改进。英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）称，一个新节点的改进幅度大约为14%~15%，因此我们可以预期Intel 10A相比Intel 14A至少有同样程度的改进。

根据英特尔路线图，Intel 14A也将在2027年获得“功能扩展”，因此Intel 10A似乎将在Intel 14A和Intel 14A-E之间到来。

Intel 4和Intel 3工艺的产能建设速度不如Intel 20A和Intel 18A，因为该公司第三方代工业务的大部分业务都来自Intel 18A节点，英特尔表示正在按计划进行。随着向支持EUV的节点过渡，英特尔还将稳步减少14nm、10nm、Intel 7（10nm增强版）和12nm节点的总体产量。

值得注意的是，英特尔还特别注明，路线图的最终规模、节奏和流程取决于业务条件和激励措施，这反映了该公司目前的声明，即《芯片和科学法案》的资金将影响其规模生产的能力。

在技术方面，Intel 20A工艺同时集成了两种新技术—背面供电（PowerVia）和GAA晶体管（RibbonFET）。为了降低工艺风险并避免像10nm那样的失误，英特尔于2022年4月宣布，已通过其晶圆厂运行不同类型的Intel 20A，这是一个仅有背面供电与标准FinFET配合的内部测试节点，以确保背面供电在集成到最终Intel 20A节点之前单独工作。因此，我们可以预期Intel 20A已经在英特尔晶圆厂生产了相当长的一段时间。

英特尔还将积极提高Foveros、EMIB、SiP（硅光子）和HBI（混合键合互连）的先进封装产能。先进封装产能一直是当前人工智能（AI）加速器短缺的关键瓶颈。产能的增加将确保具有复杂封装（包括HBM）的先进芯片的稳定供应。

英特尔先进封装产能的提升未来将是爆炸性的。英特尔最近使用标准封装完成了所有内部封装工作，其现在全力投入先进封装，并将使用OSAT（外包组装和测试公司）来执行标准封装任务。

Keyvan Esfarjani还分享了有关英特尔全球业务的详细信息。除了现有设施外，该公司还计划在未来五年投资1000亿美元用于扩建和新生产基地。

其中Intel 18A将在亚利桑那州的Fab 52和Fab 62生产。相比之下，针对Tower半导体的先进封装和65nm代工业务将在新墨西哥州的Fab 9 和Fab 11X进行。英特尔没有透露计划在哪里生产Intel 10A节点，并且还会在俄亥俄州、以色列、德国、马来西亚和波兰进行扩张。

这种芯片制造和封装领域的生产能力布局使英特尔能够在全球范围内实现运营，同时也为其代工客户提供利用完全位于美国的供应链的选择。

与此同时，英特尔将继续积极寻找所有潜在客户，英特尔代工服务高级副总裁兼总经理Stu Pann的任务是2030年使得英特尔代工厂成为全球第二大代工厂。

英特尔重申，未来将在芯片生产过程的每个阶段全力投入人工智能。除了使用人工智能进行设计和预测任务外，还设想在制造过程中使用协助人类的“协作机器人”。

（校对/刘昕炜）