总投资20亿元，嘉兴斯达SiC芯片项目计划3月投产

集微网消息 近日，嘉兴斯达微电子有限公司高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目传出新动向。

3月4日，南湖发布消息显示，近日，浙江省发改委公布了2024年浙江省扩大有效投资“千项万亿”工程，南湖区14个重大项目入选，其中嘉兴斯达高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目等3个项目将于今年投产。

嘉兴斯达高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目建设地点位于嘉兴南湖区，总投资20亿元，总用地面积279亩，新增建筑面积20.6万平方米，新建生产厂房、动力楼、危化仓库等建构筑物，购置包括光刻机、涂胶显影机等工艺设备。建设单位为嘉兴斯达微电子有限公司，建设工期为2022-2024年，项目于2022年1月3日开工，计划2024年3月投入使用。项目投产后可实现年产36万片功率芯片生产能力。

资料显示，嘉兴斯达微电子有限公司成立于2021年2月，是斯达半导体股份有限公司（以下简称：斯达半导体）全资子公司，后者成立于2005年4月，专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务。（校对/赵碧莹）