联电推出业界首项55纳米平台 RFSOI 3DIC解决方案

联电今日宣布，推出业界首项RFSOI制程技术的3D IC解决方案，此55纳米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频效能下，可将芯片尺寸缩小45%以上，使客户能够有效率地整合更多射频元件，以满足5G更大的频宽需求。

RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智慧手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中传输和接收资料的关键组件，透过垂直堆栈芯片来减少面积，以解决在装置中为整合更多射频前端模块带来的挑战。该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。

联电技术开发处执行处长马瑞吉(Raj Verma)表示，这项突破性技术不仅解决了5G/6G智慧手机频段需求增加所带来的挑战，更有助于在行动、物联网和虚拟实境的装置中，透过同时容纳更多频段来实现更快的资料传输。未来将持续开发如5G毫米波芯片堆栈技术的解决方案，以满足客户对射频芯片的需求。

RFSOI解决方案系列从130到40纳米的制程技术，以8寸和12寸晶圆生产，目前已完成超500个产品设计定案，出货量更高达380多亿颗。除了RFSOI技术外，联电的6寸晶圆厂联颖光电还提供化合物半导体砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)，以及射频滤波器(RF filters)技术，可充分满足市场对射频前端模块应用的各种需求。