天眼查显示，上海维安半导体有限公司“一种基于错位触发的可控硅保护器件”专利公布，申请公布日为2024年5月14日，申请公布号为CN118039639A。
本发明提供一种基于错位触发的可控硅保护器件，包括至少一插指单元，每一插指单元包括：衬底以及形成于衬底的第一面的外延层；第一N型阱区和P型阱区，分别形成于外延层中；第一N+区和第一P+区，分别形成于第一N型阱区中，第一P+区与第一N+区电性连接并作为可控硅保护器件的阳极；第三N+区，形成于P型阱区中，第三N+区的电性输出端作为可控硅保护器件的阴极；第二N+区和第二P+区，形成于外延层中，第二P+区位于第一N型阱区远离P型阱区的一侧，第二P+区与第二N+区相接触。有益效果：通过将导通路径与触发路径分离，提高器件鲁棒性。
