【授权】OPPO“通信实现方法、装置、终端、存储介质及产品”专利获授权

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1.OPPO“通信实现方法、装置、终端、存储介质及产品”专利获授权

2.佑伦真空与东南大学产学研合作签约

3.天津大学微电子学院两个本科专业获批天津市首批普通高校产教融合型品牌专业

4.中山大学郑跃教授团队在多铁性氧化物异质结方面取得新进展


1.OPPO“通信实现方法、装置、终端、存储介质及产品”专利获授权

天眼查显示,OPPO广东移动通信有限公司近日取得一项名为“通信实现方法、装置、终端、存储介质及产品”的专利,授权公告号为CN118215090A,授权公告日为2024年6月18日,申请日为2024年4月3日。

摘要显示,本申请提供了一种通信实现方法、装置、终端、存储介质及产品,属于人工智能技术领域。方法包括:获取用户的用户指令,用户指令用于表示用户的通信需求,且用户指令用于请求通过第一终端的通信助手实现通信服务;获取第一终端当前的第一通信环境数据和第一系统环境数据,第一通信环境数据为与第一终端的通信相关的环境数据,第一系统环境数据为与第一终端的操作系统相关的环境数据;基于用户指令、第一通信环境数据和第一系统环境数据,通过第一终端上基于大语言模型的通信助手确定满足通信需求的目标通信优化信息;基于目标通信优化信息,为第一终端提供通信服务。本申请能够提高通信服务的服务质量。

2.佑伦真空与东南大学产学研合作签约

6月18日,苏州佑伦真空设备科技有限公司与东南大学产学研合作签约暨研究生实践基地揭牌活动举行。

据苏州工业园区科技招商中心消息,此次佑伦真空与东南大学合作开发“集成电路晶圆传输双叉臂真空机械手”“集成电路薄膜沉积12寸晶圆VTM搬运平台”“集成电路12寸SMIF晶圆装载与检测集成装置”,一方面解决核心部件卡脖子的问题,另一方面加快了佑伦真空在集成电路产业链中的战略布局。东南大学研究生实践基地的揭牌开启了科研与教学协同发展的应用人才培养新模式,不仅提高企业的核心竞争力,同时也为东南大学科研团队提供了实践机会。

佑伦真空于2016年落户苏州工业园区,是一家专注半导体薄膜沉积装备的开发和应用的企业。主要从事PVD真空蒸发镀膜设备的研发和生产,拥有10多个机种90多个系列设备,产品广泛应用于LED芯片(Micro LED、Micro OLED等)、半导体(分立器件、功率器件、集成电路)、光学膜(光刻机光栅镀膜和激光芯片镀膜)、太阳能、科研等领域。此外,该公司正在积极布局PVD磁控溅射设备和CVD(化学气相沉积)设备的研发,进一步拓展薄膜沉积工艺设备在集成电路、新能源等领域的应用延展。

3.天津大学微电子学院两个本科专业获批天津市首批普通高校产教融合型品牌专业

根据《市教委关于做好首批普通高校产教融合型品牌专业申报工作的通知》,经过专业申请、学校审核、专家评审等环节,共有31个专业被评为首批天津市普通高校产教融合型品牌专业建设点。我院电子科学与技术、集成电路设计与集成系统两个本科专业均成功获评。

据悉,我院两个本科专业分别于2019年和2022年被评为国家一流本科专业建设点。一直以来,学院紧密围绕国家集成电路产业对高素质人才的迫切需求,牢牢抓住国家集成电路产业大发展、新工科建设、国家示范性微电子学院的建设契机,始终秉承教学、科研、企业、行业融合创新的建设理念,不断汇聚微电子产业、行业人才培养资源,引领新工科人才培养模式创新,构建出“四位一体”异构集成的产教融合协同育人长效机制,并实施以“强芯梦”为引领,以微电子-集成电路-集成系统设计为主线,以产业与教育交叉融合的创新人才培养方案和跨学科、产学研、国内外融合的协同育人体系。(来源: 天津大学微电子学院)

4.中山大学郑跃教授团队在多铁性氧化物异质结方面取得新进展

磁阻(MR)是指在外加磁场时导体或半导体的电阻发生变化的现象。通常定义为[R(H)−R(0)]/R(0)×100%,其中R(H)和R(0)分别是有磁场和无磁场时的电阻率,其大小的改变可以对应于存储信息中的0和1。因此,磁阻现象在新型逻辑器件和随机存储器(MRAM)等许多应用中具有巨大潜力。近年来,在MR研究方面取得了丰富的进展,发现了越来越多具有正MR效应的材料系统,例如半导体、范德瓦尔斯异质结和氧化物材料。多铁性氧化物体系由于其电荷、晶格、轨道和自旋自由度的相互作用,为新现象的出现和调控提供了广阔的平台。

利用磁电异质结的界面工程是控制薄膜性质的高效手段。例如,铁电材料的自发极化可以通过应力与电荷实现对薄膜性能的调控。铁电材料的面外晶格常数的大小对薄膜调控起着重要的作用。在薄膜生长过程中,随着晶格弛豫会出现[100] 的刃型位错。而对面外晶格常数影响较大的[001] 的刃型位错出现较少。最近,广东省磁电物性分析与器件重点实验室科研团队利用激光脉冲沉积技术制备了BaTiO3/LaSrMnO3磁电异质结。其中,铁电层BTO具有较大的面外晶格常数,通过TEM与XRD表征发现,其较大的晶格常数来源于薄膜中存在数量较多的[001] 的刃型位错。

图1 BTO/LSMO磁电异质结中的[001] 刃型位错

基于这种较大面外晶格常数的BTO,在LSMO中诱导了正磁阻现象,并且通过磁性与输运测试发现,这种磁阻信号会受历史性的施加磁场而改变。从初始的正磁阻转变为负磁阻。在磁阻信号的转变过程中伴随着磁序的转变。此外,通过高温退火可以实现负磁阻到正磁阻的转变,该转变温度要远高于LSMO中的磁相变温度。基于此提出了正磁阻来源于LSMO中的大面外晶格常数诱导的高温电荷/轨道有序反铁磁相的机理。

图2 BTO/LSMO中正磁阻效应及其磁性与输运随历史性施加磁场的改变

图3 BTO/LSMO磁阻随退火温度的变化以及在磁场与退火下磁序转变示意图

该成果以“Edge dislocation with [001] induced positive magnetoresistance in BaTiO3/La0.66Sr0.33MnO3 heterostructure”为题发表在国际知名期刊《Acta Materialia》上。该工作由中山大学独立完成,物理学院、广东省磁电物性分析与器件重点实验室郑跃教授、张帮敏副教授为论文通讯作者,博士研究生王朝阳为第一作者。该研究工作得到了国家自然科学基金委、广东省自然科学基金、广东省磁电物性分析与器件重点实验室以及光电材料与技术国家重点实验室的大力支持与协助。(来源: 磁电物性分析与器件重点实验室)

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