【回应】AMD:黑客攻击不会对运营造成重大影响

来源:爱集微 #集成电路#
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1.AMD:黑客攻击不会对运营造成重大影响

2.英特尔:Intel 3“3nm”工艺技术已量产

3.前三星社长提交韩国第一部半导体拟议法案 促进韩国产业发展

4.传台积电研发芯片封装新技术 从晶圆级转向面板级封装

5.机构公布2023年SiC功率元件营收榜单 ST市占率第一

6.数字EDA赋能RISC-V落地演进技术研讨会成功举办


1.AMD:黑客攻击不会对运营造成重大影响

美国AMD近日发现,黑客在最近的一次网络攻击中窃取了有限的信息,并表示此次入侵不会对其运营产生重大影响。

在有报道称一家名为Intelbroker的组织入侵AMD公司系统后,这家全球第二大PC处理器制造商启动了一项调查。AMD随后在6月19日表示,入侵并未获取关键业务信息。

AMD发言人表示“根据调查,我们认为黑客在第三方供应商网站上获取了与组装某些AMD产品所用规格相关的有限信息,此次数据泄露不会对我们的业务或运营产生重大影响。”

此前报道称,名为“Intelbroker”的组织在黑客论坛“BreachForums”上公布消息,声称在2024年6月的某一时刻入侵了AMD的系统,获得的数据包括AMD未来产品的详细信息、客户数据库、财务记录、源代码、固件和其他敏感信息。Intelbroker在论坛要求感兴趣的客户协商报价,寻求出售这些数据,并要求以加密货币门罗币进行支付。

总部位于圣克拉拉的AMD是英伟达公司在先进人工智能(AI)加速器研发领域最强劲的竞争对手,因此其技术知识和专有信息成为有价值的目标。

2.英特尔:Intel 3“3nm”工艺技术已量产

英特尔表示,Intel 3(3nm级)工艺技术已在两个晶圆工厂投入大批量生产,该公司还提供了有关新生产节点的一些其他细节。新工艺带来更高的性能和更高的晶体管密度,并支持1.2V电压,适用于超高性能应用。该节点面向英特尔自己的产品以及代工厂客户,还将在未来几年内不断向前发展。

“我们的Intel 3正在俄勒冈州和爱尔兰工厂大批量生产,包括最近推出的Xeon 6‘Sierra Forest’和‘Granite Rapids’处理器。”英特尔代工技术开发副总裁Walid Hafez表示。

英特尔一直将Intel 3制造工艺定位于数据中心应用,这些应用需要通过改进的晶体管(与Intel 4相比)、降低晶体管通孔电阻的电源传输电路以及设计协同优化来实现尖端性能。生产节点支持<0.6V低压以及>1.3V高压以实现最大负载。在性能方面,英特尔承诺,新节点将在相同功率和晶体管密度下实现18%的性能提升。

为了获得性能和密度的最佳组合,芯片设计人员必须使用240nm高性能和210nm高密度库的组合。此外,英特尔客户可以在三种金属堆栈之间进行选择:14层版本可降低成本,18层版本可在性能和成本之间实现最佳平衡,21层版本可提供更高的性能。

目前,英特尔将使用其3nm级工艺技术制造Xeon 6数据中心处理器。最终,英特尔代工厂将使用该生产节点为客户制造数据中心级处理器。

除了基础版的Intel 3,该公司还将提供支持硅通孔并可用作基础芯片的Intel 3T。未来,英特尔将为芯片和存储应用提供功能增强的Intel 3-E,以及可用于各种工作负载(例如人工智能(AI)/高性能计算(HPC)和通用PC)性能增强的Intel 3-PT。

3.前三星社长提交韩国第一部半导体拟议法案 促进韩国产业发展

6月19日,韩国国民力量党议员、前三星电子移动部门社长高东真提交特别法案《提升半导体产业竞争力特别法》,包括成立“总统半导体产业竞争力提升委员会”,旨在制定和支持政府层面的半导体产业战略。这是韩国历史上第一部专门针对半导体的法律。

拟议立法旨在通过该委员会集中管理半导体行业法规,并引入快速审批通道。这些措施包括快速建设政府负责的电力和水利基础设施、每五年制定一项提高半导体竞争力的法律计划、指定和发展半导体集群,以及为生产设施和基础设施提供补贴支持。

具体而言,该法案要求韩国国家和地方政府积极安装电力和水源等行业基础设施,以确保半导体集群的顺利运行,并承担相关成本。为了稳定电力供应,韩国政府必须将国家电网的安装和扩建纳入“电力供需基本计划”,以支持半导体行业。

法案其他条款还包括政府致力吸引及培养国内外半导体设计研发人才,以及设立“国家半导体产业促进中心”及“半导体产业专户”,以有效推动必要的研发及扶持项目。

在税收支持方面,立法规定半导体行业的研发和人员发展费用以及商业化和研发设施设备的投资,应无限期地从营业收入或公司税中扣除。

半导体市场历来以专业化为主导,美国专注于知识产权和无晶圆厂(半导体设计)领域,日本专注于材料、零件和设备,韩国和中国台湾地区专注于代工厂。然而,随着各国/地区最近陷入以天文数字补贴进行的半导体霸权争夺战,人们对韩国半导体行业地位的担忧不断增加。

4.传台积电研发芯片封装新技术 从晶圆级转向面板级封装

知情人士称,台积电正在探索一种先进芯片封装的新方法,使用矩形面板状基板而不是传统的圆形晶圆,这将允许在每个晶圆上放置更多组芯片。

报道称,该研究处于早期阶段,可能需要“几年”才能商业化,但它代表了台积电的重大技术转变,此前台积电认为使用矩形基板太具挑战性。

据知情人士透露,目前正在试验的矩形基板尺寸为510mm×515mm,可用面积是目前12英寸圆形晶圆的三倍多。消息人士称,矩形形状意味着边缘剩余的未使用面积会更少。

台积电先进的芯片堆叠和组装技术采用12英寸硅晶圆,这是目前最大的硅晶圆。台积电正在扩大其先进芯片封装产能,以满足不断增长的需求。据知情人士透露,中国台湾台中工厂的扩建主要是为了英伟达,而台南工厂的扩建是为了亚马逊及其芯片设计合作伙伴Alchip。

当被问及此事时,台积电表示“密切关注先进封装技术的进展和发展,包括面板级封装”。

芯片封装技术曾经被视为芯片制造中技术含量相对较低的一个领域,但如今它对于保持半导体进步的步伐已变得越来越重要。

以英伟达的H200和B200等AI计算芯片为例,仅使用最先进的芯片生产是不够的,还需要采用台积电首创的先进芯片封装技术CoWoS。例如,对于B200芯片组,CoWoS可以将两个Blackwell图形处理单元组合在一起,并将它们与八个高带宽存储(HBM)芯片连接起来,从而实现快速数据吞吐量和加速计算性能。

 伯恩斯坦研究公司(Bernstein Research)的半导体分析师马克·李(Mark Li)表示,台积电可能很快就需要考虑使用矩形基板,因为AI芯片组对每个封装中芯片数量的要求将越来越高。

5.机构公布2023年SiC功率元件营收榜单 ST市占率第一

据研究机构TrendForce集邦咨询报告,2023年全球SiC(碳化硅)功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲增长,前五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%,其中ST(意法半导体)以32.6%市占率持续领先,Onsemi(安森美)则由2022年的第四名上升至第二名,市占率23.6%。

报告显示,2024年来自AI服务器等领域的需求显著大增,然而,纯电动汽车销量增长速度的明显放缓和工业需求走弱正在影响SiC供应链,预计2024年全球SiC功率元件产业营收年增长幅度将较过去几年显著收敛。

机构分析,ST作为关键的车用SiC MOSFET供应商,正在意大利卡塔尼亚打造一座全流程SiC工厂,预计2026年投产。此外,ST与三安光电在中国成立的8英寸SiC合资工厂有望最快在今年年底通线,届时ST可结合位于当地的后段封测产线以及三安光电提供的配套衬底材料工厂,达到垂直整合效益。

安森美位于韩国富川的SiC晶圆厂在2023年完成扩建,并计划在2025年完成相关技术验证后转为8英寸。目前,安森美SiC衬底材料自给率已超过50%,随着内部材料产能的提升,该公司正朝毛利率50%的目标前进。

英飞凌排名第三,市占率16.5%,近一半SiC营收来自于工业市场。相较前几家领先产商,英飞凌缺乏SiC晶体材料的内部生产能力,因此积极推动多元化供应商体系,以确保供应链稳定。

Wolfspeed作为当前全球最大的SiC材料供应商,营收排名第四,占比11.1%。随着该公司美国北卡罗来纳州The JP工厂即将投产,有望显著提高材料产能,并推动莫霍克谷工厂(MVF)的投产进程。

罗姆电子营收占比排名第五,该公司近期收购了Solar Frontier的国富町工厂作为其第四个SiC工厂,并计划在今年开始生产8英寸SiC衬底,后续亦将投入功率元件的制造。

TrendForce认为,整体而言,SiC正处于一个快速成长和高度竞争的市场,规模经济比任何其他因素更为重要。截至目前,全球已有超过10家厂商正在投资建设8英寸SiC晶圆厂。可以预见,未来随着市场规模不断扩大,SiC领域的竞争也将更为激烈。

6.数字EDA赋能RISC-V落地演进技术研讨会成功举办

为了推动RISC-V技术的落地与演进,国家集成电路设计深圳产业化基地携手思尔芯,于2024年6月18日下午成功举办了“数字EDA赋能RISC-V落地演进技术研讨会”。

研讨会由思尔芯产品经理梁琪主讲,主题为《数字异构验证方案应对数字电路设计的新挑战》。梁琪介绍了当前数字芯片设计中的挑战,特别是RISC-V架构的碎片化特征。她指出,这种特征不仅增加了设计的复杂性,也使得验证变得更加困难。如何在确保定制化的RISC-V核心满足设计规范、性能要求,以及处理器性能、功耗和安全性方面的严格验证的同时,又要帮助芯片厂商快速响应市场变化,缩短产品开发周期,并及时推出新一代产品,是当前面临的主要挑战。

为应对这些挑战,思尔芯提出了异构验证方法。这种方法旨在解决芯片开发过程中每个阶段不同的设计和验证需求,确保设计的准确性。梁琪强调,芯片开发需要充分的仿真和验证,以避免流片失败导致的高额成本损失和市场机会的错失。

通过异构验证,思尔芯整合了多种EDA工具,包括架构设计(Genesis芯神匠)、软件仿真(PegaSim芯神驰)、硬件仿真(OmniArk芯神鼎)、原型验证(Prodigy芯神瞳)和数字调试(Clarity芯神觉),并支持全面上云。这种方法不仅促进了跨团队的高效协作,还确保每个环节的设计都能达到预定的准确性,从而在短时间内高效实现“确保芯片设计正确”的目标。

在接下来的环节中,梁琪又详细阐述了原型验证如何助力RISC-V开发,并通过“香山”Demo进行演示。梁琪解释了选择“香山”进行演示的原因:“‘香山’项目不仅是RISC-V架构芯片设计的前沿,也是我们在该领域技术创新的代表。通过这个案例,我们展示了原型验证如何在实际项目中提升开发效率和可靠性。”

她进一步详细介绍了原型验证在芯片设计过程中的核心作用,特别是对于基于RISC-V架构的设计,原型验证不仅能够显著降低开发风险并加速产品上市,还提供了一个可以在真实硬件上测试软件功能和性能的平台,使“香山”的软硬件工程师能够并行工作,显著加速进程。

在最后的问答环节中,与会者踊跃提问,梁琪耐心解答了关于数字EDA和RISC-V的各种疑问,现场气氛热烈。一位来自芯片设计公司的工程师表示:“梁经理的讲解非常详细,让我们对数字EDA和RISC-V有了更深刻的理解。特别是异构验证方法和原型验证的实际应用案例,对我们的日常工作非常有帮助。”

本次研讨会不仅为与会者提供了深入了解数字EDA与RISC-V技术的机会,还为业界同仁搭建了一个交流与合作的平台。通过此次活动,进一步推动了RISC-V技术在实际应用中的落地与发展,为相关领域的创新和进步注入了新的动力。

思尔芯是国内首家数字EDA供应商,已提供完善的数字前端EDA全流程,也是业内最早开发原型验证工具的企业,客户数量已超过600家。国家集成电路设计深圳产业化基地和思尔芯的此次合作,代表了双方在技术创新和市场应用方面的紧密结合。他们也表示,未来将继续致力于推动RISC-V技术的发展,组织更多类似的活动,促进技术交流与合作,共同迎接技术创新的美好未来。(来源: 思尔芯)

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