普莱信田兴银出席封测年会,共话TCB设备国产化机遇与挑战

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9月23-25日,“第二十二届中国半导体封装测试技术与市场年会暨第六届无锡太湖创芯论坛”在无锡市太湖国际博览中心A6馆盛大举行。本届大会,普莱信董事长田兴银于24日下午主论坛中发表题为《HBM用TCB设备国产化的机遇与挑战》的主题演讲。本次会议以“融合创新、协同发展”为主题,对先进封装测试技术、特色封测工艺技术、封装测试设备、关键材料、创新与投资等行业热点问题进行研讨。

随着AI和数据中心等对高带宽存储HBM的需求激增,HBM的多层芯片堆叠采用热压键合(TCB)工艺,TC Bonder是HBM制造过程必备设备,根据QY Research数据,可用于先进封装的高精度TC Bonder设备2022年全球市场规模达0.8亿美元,预计2029年将达到4亿美元,2023-2029年CAGR为25.6%。

TCB热压键合设备国产化拥有巨大的市场机遇,同时面临诸多挑战,包括:需要用到堇青石尚无国产;需要用到12寸二维光栅尺,现阶段对中国禁售;工艺人才,国内基本空白;客户极少,需要客户在工艺,芯片提供等方面的配合。 

在过去数年,普莱信一直和相关客户紧密配合,进行TCB工艺和整机的研发,攻克并构建了自己的纳米级运动控制平台,超高速的温度升降系统,自动调平系统及甲酸还原系统。在此基础上,普莱信构建完成Loong TCB热压键合机系列,拥有Loong WS和Loong F两种机型,贴装精度达到±1μm@3σ,其中Loong WS可以支持TC-NCF、MR-MUF等HBM堆叠键合工艺,Loong F支持Fluxless TCB无助焊剂热压键合工艺,适用于下一代HBM芯片,完全媲美国外最先进产品,助力HBM(高带宽存储)的放量需求。

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