【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】国民技术股份有限公司（以下简称：国民技术）
【候选奖项】年度技术突破奖
【候选产品】高能微控制器N32H47/8系列MCU
国民技术2000年源于国家“909”集成电路专项工程而成立，2010年创业板上市（股票代码：300077），是中国上市公司协会副监事长单位。公司总部位于深圳，在北京、上海、武汉、西安、重庆、香港、新加坡、洛杉矶、日本等地设有分支机构。
作为通用MCU、安全芯片领先企业和国家高新技术企业，国民技术拥有国内首个企业独立安全芯片攻防技术实验室，博士后科研工作站。目前，该公司累计承担多项“863计划”“03专项”“核高基”等集成电路和信息安全领域的国家核心技术研发项目，拥有1500多项国内外专利，获得9个国家专利优秀奖、1个国家专利金奖。
国民技术具备安全、SoC、射频、电源四大技术领先优势，并聚焦通用与安全领域发展，面向市场与客户提供芯片及相关解决方案。主营产品包括：通用MCU、安全芯片、可信计算芯片、智能卡芯片、非接读写芯片、蓝牙芯片、RCC创新产品等，广泛应用于网络安全认证、电子银行、电子证照、移动支付与移动安全、物联网、工业互联网及工业控制、智能家电及智能家庭物联网终端、消费电子、电机驱动、电池及能源管理、智能计表、医疗电子、汽车电子、安防、生物识别、通讯、传感器、机器自动化等应用方向。
今年7月，国民技术推出的高能微控制器N32H47/8系列MCU产品在上市后迅速获得客户认可和采用，赢得了不错的市场反响，目前已在电源管理、工业控制、数字能源、电机控制等工业领域获得标杆客户认可。
该款N32H47/8系列MCU是国民技术面向工业及数字能源领域新推出的高能微控制器，芯片采用Cortex®-M4核，性能卓越，主频高达240MHz，内置支持浮点数据的Cordic、FMAC和密码算法硬件加速器等多个高性能协处理器，集成丰富且性能强劲的模拟外设与灵活的数字通信接口，125ps超高精度定时器等，具有功能安全与信息安全性及高可靠性。芯片在数字电源控制、工业控制、新能源应用、高性能电机控制等领域具有应用优势。
在关键技术及创新方面，国民技术N32H47/8系列MCU主要体现在以下方面：
1.高性能处理器：采用240MHz Arm® Cortex®-M4核，浮点处理性能高达300DMIPS，832CoreMark，支持DSP指令和单精度浮点运算，内置8KB iCache指令缓存，支持MPU。集成512KB Flash加密存储器，SRAM高达196KB，支持浮点数据处理的Cordic算法加速器、滤波算法加速器（FMAC）、加解密算法加速器等高性能协处理器，进一步提升芯片算法处理性能，相比上一代产品运算性能提升66%。
2.高速通讯接口：集成的USB HS OTG无需外接HS USB PHY，USB FS device无需外接晶体。xSPI接口支持8/4线模式，集成FEMC、DVP、SDIO，8个U(S)ART，3个CAN-FD支持任意I/O映射，2个I2S支持全双工通信，集成6个SPI，4个I2C以及10/100Mbps Ethernet等，使得芯片的通讯更加快速灵活。
3.高性能模拟外设：集成4.7Msps 12bit ADC，支持单端/差分模式，具有51个通道；集成15Msps 12bit DAC；PGA支持轨到轨和差分模式，GBW=40MHz，高达40V/us的压摆率；模拟比较器响应速度高达22ns。
4.超高精度定时器：芯片内置基于数字锁相环技术的超高精度定时器，可产生12通道125ps分辨率的PWM信号，实现灵活的相位交错PWM信号输出，以及灵活的内部多外设联动机制。10个外部输入事件（EEV）可任意IO映射，32bit Burst计数器可进一步降低电源待机功耗。
5.工业级安全及高可靠性：Flash支持ECC，SRAM支持ECC和奇偶校验，支持外部时钟失效检测，抗ESD，EFT能力强，符合IEC61508 SIL2功能安全标准，可在-40~105/125℃温度范围可靠工作。
据悉，N32H47/8系列MCU产品主要应用于通信/服务器电源、光伏逆变器、UPS、便携储能电源等数字电源控制领域，变频器、伺服、PLC等工业控制领域，储能BMS、汽车OBC、换电柜/充电桩等新能源应用领域，以及工业机器人、电摩控制器等高性能电机控制方面。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
旨在表彰2024年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2024年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
技术的原始创新性；（50%
技术或产品的主要性能和指标；（30%)
产品的市场前景及经济社会效益；（20%）
