【喜讯】 | 派恩杰首推2000V SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核! 作者: 爱集微 2024-11-15 相关舆情 AI解读 生成海报 来源:派恩杰半导体 #派恩杰# #MOSFET# 评论 收藏 点赞 6097 责编: 爱集微 来源:派恩杰半导体 #派恩杰# #MOSFET# 收藏 点赞 分享至: 微信扫一扫分享 THE END 相关推荐 派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布 派恩杰半导体完成数亿元融资,系第三代半导体“小巨人” 派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法”专利获授权 【芯人物】派恩杰黄兴:做好中国第三代半导体产业的“探路者” 车用承压 台MOSFET厂多元布局 中国台湾MOSFET厂商:预计今年将恢复增长,看好AI PC +关注 爱集微 微信: 邮箱:laoyaoba@gmail.com 10.3w文章总数 12012.5w总浏览量 最近发布 HDMI 2.2标准发布,埃尔法光电迎来新契机 3小时前 《绿色计算产业发展白皮书2024》发布,得瑞领新深度参与绿色生态共建 4小时前 炬芯科技:盈利能力显著提升 持续发力端侧AI加速产品落地 11小时前 在AI的浪潮里,让数据不再是一座孤岛 8小时前 【科技成果推介】水下清污机器人 11小时前 获取更多内容 最新资讯 南京浦口区:华天、芯德等4大半导体项目上榜江苏省重大项目清单 9分钟前 思特威全球总部园区项目顺利封顶! 13分钟前 湖南出台11条措施,支持长沙建设全球研发中心城市 18分钟前 总投资约8.5亿元,思特威全球总部园区项目封顶 26分钟前 共鉴创新发展,深化资本互动 华润微电子投资者开放日暨新品发布会圆满举行 35分钟前 北理工团队在光子角动量谱测量方面取得重要突破 55分钟前