天眼查显示，上海芯元基半导体科技有限公司近日取得一项名为“一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法”的专利，授权公告号为CN108281525B，授权公告日为2024年10月29日，申请日为2017年12月7日。
本发明提供一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法，所述复合衬底包括：生长衬底；外延缓冲层，位于所述生长衬底上表面；凸起结构，呈周期性间隔分布于所述外延缓冲层上表面；所述凸起结构为半导体介质膜层；图形化保护层，位于所述凸起结构与所述外延缓冲层之间，且位于所述凸起结构的正下方。本发明的保护层起到对外延缓冲层保护的作用，使得外延缓冲层不会受到干法刻蚀工艺中刻蚀气体或聚合物的污染，使得在外延缓冲层表面再次外延生长外延层更加容易，生长工艺窗口更大，可工艺化量产。
