Tokyo Electron推出新型溅射设备LEXIA™-EX和激光剥离设备Ulucus™ LX

EXIM™溅射设备，融入TEL独创的产品理念，在推出后的十多年间，极大地推动了先进半导体器件的大规模生产。特别是面向下一代存储，EXIM™在溅射工艺中展现的产品性能和运行稳定性，赢得了卓越的声誉，确立了作为大规模量产设备的稳固地位。

LEXIA™-EX继承了EXIM™独特的超高真空腔室设计，实现薄膜厚度、薄膜品质和薄膜成分的均一性，具备高生产性和设备可扩展性（模组的搭载数量的调整）。与上一代产品相比，LEXIA™-EX的最大产能达到100wph，提升20%以上，占地面积减少了约40%，二氧化碳排放量降低了14%。此外，在现有的四个阴极*1沉积腔室的基础上，我们还开发了配备两个超大阴极的dPVD*2（双PVD）沉积腔室，进一步提升生产率。LEXIA™-EX可实现单层薄膜的高效均匀沉积，适用于面向DRAM 电容器的下一代硬掩膜和面向先进逻辑器件的功能薄膜等单层厚膜工艺。

*1 阴极：用于材料沉积的电极

*2 PVD：物理气相沉积

LEXIA 和 EXIM 是Tokyo Electron在日本和/或其他国家的注册商标或商标。

人工智能时代，对于半导体器件的性能和能效的提高尤为关注，而采用永久性晶圆键合技术的三维集成已成为半导体器件持续发展的关键。作为实现高度集成化和器件微缩化的关键技术，永久性晶圆键合工艺在各种半导体器件上的应用更加广泛。而伴随键合次数的增加，技术难度也更具挑战性。其中，永久性晶圆键合工艺过程中，会对硅晶圆进行抛光和研磨从而去除多余部分。这个过程由于大量地使用冷却水，从而导致良率降低，仅能获得有限的有效芯片数量。解决这一难题的关键，是需要引入具备可持续发展且有助于提高生产率的创新技术。

在此背景下，Ulucus™ LX应运而生。它采用了TEL的激光剥离技术，能够在单台设备内完成激光照射、晶圆分离和晶圆清洁。该设备使用涂布显影设备LITHIUS Pro™ Z的平台，集成了先进的激光控制技术、晶圆分离技术及NS和CELLESTA™系列的单晶圆清洗设备的清洗技术。

该设备能够取代永久性晶圆键合工艺中，包括晶圆背面研磨、抛光和化学刻蚀在内的多个工序，从而减少90%以上的去离子水消耗量*。此外，该设备还省去了传统的切边工序，大幅提升每片晶圆上的有效芯片数量。此外，针对该设备剥离出的硅晶圆的再利用技术，也在开发过程中。

*TEL基于与传统晶圆背面研磨和切边工艺的对比，得出的估算值。

Ulucus、LITHIUS Pro 和 CELLESTA 是Tokyo Electron集团在日本和/或其他国家的注册商标或商标。