天眼查显示，北京智芯微电子科技有限公司近日取得一项名为“抗电磁环境干扰高可靠LDMOS静电泄放器件、制备方法及芯片”的专利，授权公告号为CN118073425B，授权公告日为2024年12月13日，申请日为2024年4月24日。
本申请公开了一种抗电磁环境干扰高可靠LDMOS静电泄放器件、制备方法及芯片，属于半导体技术领域。抗电磁环境干扰高可靠LDMOS静电泄放器件包括：基底；体区，体区内靠近第一侧设有源区和至少一个第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂类型和源区的掺杂类型相反；漂移区，漂移区靠近第一侧设有漏区和至少一个第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂类型和漏区的掺杂类型相反；栅功能层；第一极性结构，分别与源区、第一掺杂区和栅功能层连接；第二极性结构，分别与漏区和第二掺杂区连接。体区内的第一掺杂区和漂移区内第二掺杂区分别在LDMOS器件内部形成PN结，实现在LDMOS内集成SCR结构，从而调整电流流出路径，提高了LDMOS器件的单位面积静电泄放能力。
