天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“闪存器件的制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月21日，申请公布号为CN119136552A。
本申请提供一种闪存器件的制备方法，通过CAA&PAA合版制备第二隔离沟槽和第一隔离沟槽，先在存储区和外围逻辑区的衬底上形成第一硬掩膜层，然后利用衬垫氧化层作为外围逻辑区刻蚀第一硬掩膜层的刻蚀停止层，彻底去除外围逻辑区的第一硬掩膜层，可以避免第一硬掩膜层刻蚀工艺带来的厚度波动，进一步的，在存储区和外围逻辑区同时形成厚度精确可控的第二硬掩膜层，配合第一硬掩膜层，可减少后续第一/第二隔离沟槽刻蚀深度的波动，同时使得第二隔离沟槽和第一隔离沟槽之间形成稳定的深度差，同时，本申请通过CAA&PAA合版制备第二隔离沟槽和第一隔离沟槽不需额外增加光罩，避免了制造成本的增加。
