天眼查显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司“一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布，申请公布日为2025年2月14日，申请公布号为CN119421473A。
本发明提供了一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成均流层、体区、P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成栅介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层和源极金属层，去除阻挡层，完成制备，可以有效提高器件的栅极可靠性和体二极管续流损耗和反向恢复速度。
