天眼查显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司“硅片抛光方法和硅片抛光设备”专利公布，申请公布日为2025年2月28日，申请公布号为CN119526238A。

本申请提供了硅片抛光方法和硅片抛光设备，硅片抛光设备的模板组件包括薄膜基部和环部，所述环部自所述薄膜基部的边缘延伸以形成用于保持硅片的凹槽，所述环部设置有伸缩单元，所述方法包括：在所述硅片的抛光过程中，检测所述环部的磨损应力，以得到应力数据；在所述应力数据未处于目标数值范围内的情况下，调整所述伸缩单元的长度，以改变所述凹槽的深度。本申请通过监测环部的磨损应力并自动调整伸缩单元的长度，实现了TA尺寸的自动调节，提高了设备的自动化水平和稼动率，能够有效减少TA因磨损应力过大而导致的过度磨损，延长了TA的使用寿命。此外，自动调控TA尺寸，能够保障硅片边缘的去除量在合理水平，提升硅片的边缘平整度和产品质量。