据韩媒日前发文称，三星计划于2025年11月量产首款采用2纳米工艺的Exynos 2600芯片。若Galaxy S26机型能顺利搭载Exynos 2600，三星有望借此展示 2 纳米技术实力，吸引更多客户。

据透露，这得益于新任Foundry事业部负责人韩真晚（Han Jinman）上任后取得重大进展。他上任仅四个月，便着手优化生产良率并调整经营策略，全面检视了 2 纳米工艺的生产线和运营模式，不仅巩固技术优势，还拓宽了市场布局。

在2nm制程进展顺利的同时，三星已经制定更为远大的目标则是1nm制程，并且已成立团队负责1nm制程的开发计划，预计量产时间将是2029年。

据悉，Exynos 2600芯片采用Gate-All-Around（GAA）技术，相较传统FinFET工艺更先进。这种技术通过四面环绕晶体管结构，提升芯片性能并降低功耗，适合高性能芯片需求。

三星此前已率先实现3纳米GAA量产，但受限于低良率，未能扭转代工业务的亏损局面。据悉，2纳米工艺的良率已从年初的20-30%提升至40% 以上，远超 3 纳米时期的表现。

业界认为，若Exynos 2600按计划搭载于2026年一季度发布的Galaxy S26，将为三星代工业务注入强心剂，助力吸引外部客户。

不过，相比三星的2nm制程，台积电的2nm制程进度似乎更快，传闻目前良率已经达到了80%，也将会在今年下半年量产，并且已经开始接受客户订单。