据第三方测算，2025年全球NOR Flash市场整体营收预计超过26亿美金，主要分为电脑PC类、车载类、工业类、消费类四大应用领域。其中，电脑PC类营收占比约13%，车载类占比约21%；工业类（涵盖基站、工业、医疗、服务器及AI服务器）占比约27%；消费类（包含传统消费类、新兴消费类）占比约超30%。
从存储芯片景气度来看，从Q3各应用领域需求环比Q2的景气度来看，新兴消费类（包括AI耳机、AI眼镜、AI玩具）需求环比涨幅较大，为最景气领域；AI服务器出货量环比上升明显，价格提价有较强支撑；AI PC及汽车电子及工业（非AI服务器领域）需求环比上升可观。
其中，在AI服务器市场，NOR Flash份额曾由台湾厂商主导的地位正在被大陆厂商撼动，国内AI服务器厂商从“抄作业”转向自主替换，预计今年替换份额达到20%左右，台湾厂商被替代趋势明显。
这也给A股存储芯片厂商兆易创新、北京君正、复旦微电、东芯股份、普冉股份、聚辰股份、恒烁股份等带来了新的市场机遇，并在积极匹配客户需求，那么这些存储芯片厂商自身研发实力和实际进展如何？
兆易创新/复旦微电研发投入领先
研发投入是企业跟紧产品创新的基石，也是企业提升技术和产品竞争力的保障，尤其是当下在AI技术的蓬勃发展带动数据中心大容量存储需求高速增长，叠加智能手机、智能汽车等智能终端渗透率的不断提升，研发费用必不可少。
从2025年上年报研发费用来看，上半年兆易创新研发投入56768.04万元稳居首位，复旦微电研发投入50861.05万元位居第二，北京君正研发投入34827.68万元位居第三，普冉股份研发投入14772.33万元，东芯股份研发投入为10543.71万元，聚辰股份研发投入10267.08万元，恒烁股份研发投入4283.05万元。
从2025年上年报研发费用占营收比例来看，东芯股份位居第一达30.74%，复旦微电位居第二达27.66%，恒烁股份位居第三达24.58%，聚辰股份为17.86%，普冉股份为16.29%，北京君正为15.48%，兆易创新为13.68%。
从研发人员数量来看，兆易创新研发人员数量稳居第一达1481人，复旦微电研发人员数量位居第二达1113人，北京君正研发人员数量达760人，普冉股份研发人员数量为284人，东芯股份研发人员数量为206人，聚辰股份研发人员数量为194人，恒烁股份研发人员数量为119人。
拓宽产品线，把握增长新机遇
在巨额研发投入的持续加持下，兆易创新、北京君正、复旦微电、东芯股份、普冉股份、聚辰股份、恒烁股份等存储芯片厂商产品进展情况如何？
兆易创新：公司专用型存储芯片包括NOR Flash、SLC NAND Flash和利基型DRAM三条产品线，形成了丰富的产品矩阵，满足客户在不同应用中对容量、电压以及封装形式的多元需求，已在消费电子、工业、通讯、汽车电子等领域实现了全品类覆盖。
上半年，兆易创新推出了专为1.2VSoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品，进一步强化公司在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局，为市场提供先进嵌入式存储解决方案，可应用于智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能等新兴领域；公司同步推出了兼备更快读取速度和坏块管理功能的高速QSPI NAND Flash产品，可应用于工业、IoT等快速启动应用场景。
兆易创新利基型DRAM产品广泛应用于网络通信、电视、机顶盒、智能家居、工业等领域。2025年上半年，公司8Gb容量DDR4产品市场推广顺利进行，营收稳步增长；LPDDR4产品开始贡献营收；公司控股子公司青耘科技开展的定制化存储业务正有序推进中，业务进展顺利。未来，随着海外大厂逐渐淡出利基DRAM市场，公司有望迎来更多发展机遇。
北京君正：公司存储芯片分为SRAM、DRAM和Flash三大类别，主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场，公司车规DRAM、车规SRAM产品在全球市场均排名前列。公司SRAM产品品类丰富，包括了不同容量的同步SRAM、异步SRAM、高速QDRSRAM等产品。
上半年，北京君正对多款SRAM产品进行了客户送样；同步进行了不同容量、不同类别的高速DRAM、LowPowerDRAM等存储芯片的产品研发，公司进行了基于20nm、18nm和16nm工艺制程的DDR3、DDR4、LPDDR4等多款产品的规划、研发与生产，部分产品已开始向客户送样，根据公司产品规划，更多型号的DRAM产品将于今年下半年至明年陆续投片。
北京君正Flash产品线包括了目前全球主流的NOR Flash存储芯片、NAND Flash存储芯片和eMMC/UFS存储芯片，报告期内，公司进行了不同容量和种类的Flash产品的定义、研发和工程样片生产等相关工作，其中1GbSPI NOR Flash新产品开始送样，512MbSPI NOR Flash产品逐渐放量，公司继续进行更多型号Flash产品的研发。
复旦微电：公司非挥发存储器产品线基于业界较全面的产品布局，在EEPROM核心技术方面，公司新研SONOS平台产品已进入量产阶段，产品覆盖2Kbit~2Mbit工业级/车规级全系及DDR5模组接口套片，适配通讯、个人电脑、工控、家电、汽车电子等多领域。上半年，公司完成基于新平台的2Kbit~32Kbit多款中小容量EEPROM产品设计开发与流片，多款中大容量EEPROM产品通过AEC-Q100Grade1认证，成功导入部分Tier1及整车厂供应链，适用于DDR5的SPD5Hub产品已实现量产。
SLC NAND核心技术方面，复旦微电持续坚持多平台量产与优化并行的策略，针对2Xnm工艺特点，多产品已完成客户导入。上半年，复旦微电既有2Xnm平台系列产品均已进入量产阶段，性能及可靠性满足通讯、安防监控、可穿戴等应用市场需求。基于国内新工艺平台的大容量高可靠性产品通过客户验证；平台化系列新产品完成设计并流片，有效保证了供应链安全。
聚辰股份：公司是全球领先的非易失性存储芯片供应商，目前拥有覆盖1Kb-2Mb容量区间的全系列EEPROM芯片以及覆盖512Kb-64Mb容量区间的全系列NORFlash芯片产品组合。公司的EEPROM产品线主要包括I2C、SPI和Microwire等标准接口的全系列EEPROM芯片，产品性能代表了行业最高技术水平，并广泛应用于智能手机、液晶面板、蓝牙模块、AI眼镜和白色家电等众多领域。
NOR Flash芯片作为代码型闪存芯片，与EEPROM芯片同为满足中低容量存储需求的非易失性存储芯片，两者在技术上具有一定相通性，公司的NOR Flash产品线主要为低功耗SPI NOR Flash芯片系列，包括基于NORD工艺平台的覆盖512Kb-64Mb容量范围的NOR Flash芯片，以及基于ETOX工艺平台的覆盖32Mb-512Mb容量范围的NORFlash产品储备，现已实现向AMOLED屏幕、指纹识别模块、TWS耳机、Wi-Fi模块、安防监控、电子烟等应用市场大规模供货。
普冉股份：在NOR Flash产品方面，公司SONOS与ETOX工艺互补、提供领先的存储解决方案，公司已实现SONOS和ETOX双工艺平台全容量系列的产品覆盖，可以为客户提供完善低电压、低功耗和高可靠性的产品供应和服务支持，为各类AI眼镜、AI耳机、AI玩具、各类机器人等客户提供满足其存储需求的产品。
上半年，普冉股份EEPROM产品线重要组成部分SPD（SerialOutlineDIMM，串行存在检测，一种访问内存模块有关信息的标准化方式）产品线顺利量产出货。公司SPD产品目前正在持续推进重点客户验证流程，后续产品推广速度将一定程度受益于DDR5内存模组渗透率的提升。
恒烁股份：自主研发的NOR Flash产品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，以其高可靠性、低功耗特性、良好的兼容性和成本效益而受到市场青睐；上半年公司积极布局易失性存储芯片DRAM内存产品，采用模组合作模式，致力于实现易失性和非易失性利基型产品的全覆盖，其中DDR4产品在2025年上半年量产，产品也将涵盖主要容量4Gb和8Gb，产品速率最高可达行业DDR4最高的3200Mbps。
在利基型NAND Flash领域，恒烁股份新增singledie SPI NAND及高性能32Gb SDNAND产品，预计三季度量产后将形成覆盖高、中、低端的差异化产品组合，更好满足网络通信、智能穿戴等细分应用客户。此外，该公司2025年1月搭载国内主流原厂2xnm DRAM晶圆，量产了第一代DDR4模组产品，DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，广泛应用于智能电视、安防监控、网通设备和工业控制等领域，后续将为公司业务带来新的增量。
东芯股份：公司存储主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP。上半年，公司“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已实现量产，设计与工艺持续优化，产品可靠性指标显著提升，并已实现产品销售。2xnm制程SLC NAND Flash产品系列研发持续推进，进一步提升了可靠性指标，并持续扩充产品料号。
此外，东芯股份在已量产的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4x、PSRAM等产品基础上，继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，目前主要围绕可穿戴，网络通信等应用领域，公司将持续拓宽DRAM产品线，完善产品布局，把握市场份额增长机遇。
