1、惨淡！英特尔代工业务年收入1.2亿美元，仅为台积电千分之一
2、AMD：预计2030年数据中心芯片收入破千亿美元，利润翻至三倍
3、微软投资100亿美元建设葡萄牙AI数据中心，采用1.26万个英伟达GPU
4、国内首家！纳芯微发布车规级8通道可配高低边驱动NSD56xxx-Q1系列，兼具高集成与灵活配置
5、日本硅晶圆厂SUMCO 14年来首度全年亏损，股价大跌16%
1、惨淡！英特尔代工业务年收入1.2亿美元，仅为台积电千分之一
2025年，英特尔代工服务（IFS）业务表现低迷，其收入与台积电形成惊人差距，实现盈亏平衡仍遥不可及。
自英特尔在新任CEO陈立武（Lip-Bu Tan）的领导下进行一系列重大变革以来，公司不仅在代工业务上进行了调整，还在消费产品和人工智能（AI）等部门进行了改革，展现出逆境突围的决心。然而，具体到英特尔代工部门，要实现收支平衡依然道阻且长。根据SemiAnalysis分析师Sravan Kundojjala披露的数据，英特尔2025年代工业务收入仅为台积电的千分之一。
本财年英特尔代工收入预计仅1.2亿美元，与Intel 18A（1.8nm）等先进工艺的研发投入相比简直是九牛一毛。尽管该部门确实面临严峻财务压力，但近期动态显示市场对英特尔芯片服务仍存兴趣。据悉特斯拉、博通与微软等企业正对Intel 18A及后续Intel 14A（1.4nm）工艺表现出合作意向，这些关键订单或将成为帮助该部门重返荣耀、抗衡台积电的决定性因素。
目前英特尔代工业务仍处于迷雾期——虽然Intel 18A制程近期取得技术突破，但业界尚未见证该工艺的"真实实力"，即将推出的Panther Lake客户端芯片与Clearwater Forest数据中心处理器将成为英特尔代工路向的重要风向标。更关键的是，陈立武曾明确表示若无法推动制程技术的外部客户采纳，英特尔将退出晶圆代工竞赛，这意味着Intel 14A等芯片的成败将直接关系到英特尔代工芯片业务的存亡。
两者间的量级差异印证了Arm CEO Rene Haas昔日的断言：“芯片竞赛中落后一步便难追及”。当台积电持续主导全球芯片产业格局之际，英特尔似乎仍徘徊在核心竞技圈的边缘。
2、AMD：预计2030年数据中心芯片收入破千亿美元，利润翻至三倍
AMD周二（11月11日）表示，公司预计未来五年内，数据中心芯片年营收将达到1000亿美元，并预计利润将增长至超过目前三倍。
AMD股价在盘后波动中上涨约4%，此前收盘下跌2.7%，报收于237.52美元。自10月6日AMD与OpenAI签署一项多年期、高额合作协议以来，公司股价已上涨16%。该协议预计将为AMD带来数百亿美元的年度营收。
AMD首席执行官苏姿丰（Lisa Su）在纽约举行的三年来首次分析师大会上表示，预计到2030年，全球数据中心芯片市场将增长至1万亿美元。她指出，人工智能将是推动这一市场达到万亿美元规模的主要动力。该市场包括AMD的通用处理器、网络芯片以及专用AI芯片。
AMD首席财务官Jean Hu在会上表示，公司预计未来三到五年间，整体业务每年将保持35%的增长率，而数据中心业务年增长将达到60%。同期，公司每股收益预计将上升至20美元。根据LSEG数据，AMD 2025年的预期利润为每股2.68美元。
AMD的主要竞争对手英伟达CEO黄仁勋（Jensen Huang）则预测，到2030年，整个AI基础设施市场将增长至3万亿至4万亿美元。
苏姿丰在开场致辞中强调，公司近期已完成多项AI相关收购，包括服务器制造商ZT Systems及多家小型软件公司。她表示，AMD已经打造了一套“并购机器（M&A machine）”。
近几个月，AMD收购了一批专注于AI应用软件开发的初创公司。就在本周一，AMD宣布收购软件公司MK1。AMD首席战略官Mat Hein表示，公司此举旨在确保能获取构建AI能力所需的软件和人才资源。
3、微软投资100亿美元建设葡萄牙AI数据中心，采用1.26万个英伟达GPU
微软宣布，计划在未来几年内投资100亿美元，用于在葡萄牙港口城市锡尼什建设一个数据中心，以发展人工智能（AI）基础设施。这将是微软在欧洲最大的AI投资项目之一。
微软将与开发商Start Campus、AI基础设施平台Nscale和芯片制造商英伟达合作，在锡尼什部署12600个下一代英伟达图形处理器（GPU）。
Start Campus是美国投资基金Davidson Kempner和英国Pioneer Point Partners的合资企业，该公司在今年4月宣布一项计划，将在2030年前投资85亿欧元（99亿美元）建设一个数据中心枢纽，以满足大型科技和AI公司日益增长的需求。其中计划建设的六栋数据中心中，已有一栋投入运营。
微软副董事长兼总裁布拉德·史密斯表示：“通过与Nscale、英伟达和Start Campus的合作，加强国家AI基础设施建设，我们正在帮助葡萄牙成为欧洲负责任且可扩展的AI发展的标杆。”
葡萄牙已为锡尼什规划了多个大型投资项目，旨在生产绿色能源，为高耗能数据中心提供电力。葡萄牙的大西洋海岸线使其成为连接欧洲、非洲和美洲的海底光缆的重要枢纽，这些光缆构成了万维网的骨干网。
自OpenAI于2022年推出ChatGPT以来，为AI提供计算能力的数据中心投资激增，各行各业的公司都在不断将运营迁移到云端，并将AI融入到业务中。
4、国内首家！纳芯微发布车规级8通道可配高低边驱动NSD56xxx-Q1系列，兼具高集成与灵活配置
纳芯微今日宣布正式推出车规级8通道可配高低边驱动系列芯片——NSD56080、NSD56602、NSD56620与NSD56242，工作电压范围覆盖4.5V~28V（输出内部钳位39V），每通道驱动电流330mA（所有通道ON），适合驱动汽车电子的继电器、LED、灯泡及电机等各类型感性容性负载。
该系列产品以高集成度、灵活配置和智能驱动及诊断为核心优势，相比已量产的8通道低边驱动NSD56008，新增加PWM自动发生器、On-State负载开路诊断和Bulb Inrush Mode等功能，可帮助客户节省MCU资源、降低系统设计复杂度和成本、缩小板级尺寸，进一步提升设计灵活性与整体性能。
一芯多能： 内置PWM自动发生器， 两路输入支持Limp Home， 节省MCU资源 NSD56xxx-Q1系列芯片内置两个独立的PWM自动发生器，可配置PWM频率与占空比，并可映射到任意输出端口。通过与两路输入（亦可映射到任意输出端口）配合，最多可输出4路独立的不同频率与占空比的PWM信号，直接节省两路MCU的PWM口及软件资源，简化控制逻辑，提升系统响应效率。 当系统检测到异常而进入跛行模式（Limp Home）时，NSD56xxx-Q1系列芯片可实现8通道选择性关闭，仅保留2路映射通道来维持继电器、制动泵等关键安全负载持续运行，提升整车与系统的安全可靠性。 图1 Input Mapping 智能诊断： 双模式开路检测，简化系统设计 NSD56xxx-Q1系列芯片支持OFF-State与ON-State双模式负载开路诊断（OLD），可在输出关闭或打开状态下精确检测负载连接状态，显著提升系统自诊断能力。 OFF-State OLD通过开启每通道的诊断电流源并比较输出端口电压，来检测负载开路。而新引入的ON-State OLD（仅适用于高边及配置为高边的通道），则是通过检测实际负载电流和输出端口电压来诊断，避免了OFF-State OLD因内部电流源而造成LED负载微亮这一异常现象。 同时，ON-State OLD既可直接选定通道来诊断，也可以对所有高边通道进行loop诊断，并能够用一帧报文来读取所有通道的诊断信息，从而简化系统设计、降低MCU负荷，让整机诊断更高效、更可靠。 支持BIM模式： 高效驱动多种负载，适应更多应用场景 高低边驱动在实际应用中驱动白炽灯或容性负载时，输出通道会因过冲电流触发过载保护（Over Load Protection）而被关闭，若靠软件不断清除故障点（Fault）和打开通道，则响应太慢难以输出足够能量打开负载。 为解决这一痛点，NSD56xxx-Q1系列引入Bulb Inrush Mode（BIM模式）。当该通道输出达到过载保护阈值而被关闭时，该通道会在tINRUSH时间后自动重启，然后不断重复直至持续时间tBIM（40ms）。40ms内足够让2W功率的灯泡点亮，若同时采用BIM模式和通道并联功能，则可以支持将5W灯泡点亮。 这一设计使NSD56xxx-Q1系利能够可靠驱动白炽灯、继电器、马达等容性与感性负载，显著提升系统对不同类型负载的兼容性，为客户提供更灵活、更可靠的设计选择。 图2 Bulb Inrush Mode（BIM）模式运行 集成主动钳位管： 轻松应对感性负载，降低系统成本 在驱动继电器、电磁阀等感性负载时，通道关断瞬间会在输出口产生高压，若电感能量足够大，会造成芯片内部功率管雪崩击穿。 NSD56xxx-Q1系列在每个通道内集成主动钳位管（Active Clamp），在关断瞬间可钳位输出端电压（低边通道钳位正电压，高边通道钳位负电压），同时输出功率管因栅极电压抬升而打开，形成电流通路来泄放电感能量，有效防止功率管损坏。这一设计让芯片在驱动感性负载时无需额外钳位管（可减少8个外部钳位管），从而显著降低系统BOM成本与板级尺寸。 图3 输出功率管 Active Clamp 芯片单通道在室温下可承受高达50mJ的钳位能量，而在实际应用中，继电器负载产生的能量通常低于10mJ，足以覆盖典型继电器、电磁阀等感性负载的能量需求，确保系统运行的稳定与可靠。 车规品质，灵活选型 NSD56xxx-Q1系列8通道智能高低边驱动产品现已全部量产，满足AEC-Q100 Grade 1标准，工作温度范围覆盖-40℃至125℃，封装采用HTSOP24（8.65×3.9mm），该系列提供丰富的高边、低边及可配高低边的组合方案，灵活满足不同系统架构和负载需求。 凭借全面的高低边组合、丰富的智能功能和车规级可靠性，纳芯微可为车身电子的各类型负载驱动提供多通道高集成度的解决方案，帮助客户快速搭建安全可靠、灵活高效的系统设计。 图4 NSD56xxx-Q1选型表 申请样片 NSD56xxx-Q1系列目前可提供样片，可扫描上方二维码，填写问卷进行样片申请；进一步咨询可邮件至sales@novosns.com；更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。
5、日本硅晶圆厂SUMCO 14年来首度全年亏损，股价大跌16%
日本硅晶圆厂SUMCO近日发布财报，显示其2025年第三季度（7-9月）业绩不佳，合并营收较去年同期微增0.7%至991亿日元，但合并营益由去年同期的91亿日元转为亏损16亿日元，合并纯益也由去年同期的盈余36亿日元转为亏损39亿日元。
SUMCO在财报中指出，尽管用于AI的先进逻辑/存储用12英寸硅晶圆需求持续稳健，但传统产品的需求受客户库存调整影响，8英寸以下硅晶圆产品出货也持续低迷。
展望第四季度（10-12月），SUMCO预计合并营收为1000亿日元，与去年同期持平，但合并营损额预估为100亿日元，本业将连续第二季度亏损，合并净损额预估为160亿日元，也将连续第二季度陷入亏损。
对于全年度（2025年1-12月）的业绩预期，SUMCO预估合并营收将同比增长2%至4044亿日元，但合并营损额预估为42亿日元，合并净损额预估为169亿日元，这将是该公司自2011年度以来首次陷入全年亏损。值得注意的是，这一亏损额远高于市场预期，分析师平均预估SUMCO今年度净损额为52亿日元。
SUMCO在展望未来时表示，先进逻辑用12英寸硅晶圆需求依然强劲，来自数据中心用存储器的需求预计将增加，但8英寸以下硅晶圆部分因与中国厂商竞争，出货量预计将持续低迷。
受此影响，SUMCO股价在12日开盘后大幅下跌，截至上午8点20分，股价崩跌16.16%至1235日元，创2个月来新低。
