【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年进一步扩容升级，共设立三大类73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】芯联集成电路制造股份有限公司（简称：芯联集成）
【候选奖项】年度人工智能技术突破奖
在人工智能技术迅猛发展、算力需求呈指数级增长的时代浪潮中，作为AI基础设施核心的电力转换与供应技术，其效率、功率密度与可靠性已成为决定数据中心效能、推动AI规模化部署的关键基石。特别是在高能耗的AI数据中心领域，电源转换效率的每一次提升，都意味着巨大的能源节约与系统可靠性增强。如今，一家专注于提供一站式芯片系统代工方案、并在宽禁带半导体制造领域取得领先突破的中国企业，正以其先进的碳化硅（SiC）制造技术平台，为AI数据中心电源带来革命性的性能提升——芯联集成电路制造股份有限公司。
芯联集成成立于2018年，总部位于浙江省绍兴市，是国内领先的具备车规级IGBT/SiC芯片及模组和数模混合高压模拟芯片生产能力的代工企业。公司拥有种类完整、技术先进的车规级高质量功率器件和功率IC研发及量产平台，也是国内重要的车规和高端工业控制芯片及模组制造基地，同时还是国内规模、技术领先的MEMS晶圆代工厂。公司致力于为AI、汽车、新能源、工控、家电等领域提供功率器件、模拟芯片、MCU、传感器及数模混合芯片等一站式解决方案，2024年销售额达65.09亿元，产业规模与技术实力日益凸显。
基于在先进半导体制造技术、特别是面向AI应用的碳化硅功率平台领域展现出的重大技术突破与显著市场成效，芯联集成竞逐“IC风云榜”年度人工智能技术突破奖，并成为候选企业。该奖项旨在表彰在人工智能相关的基础技术、核心部件或关键工艺方面取得重大创新突破，并对AI产业发展产生直接、显著推动作用的企业或技术。
芯联集成的AI技术突破实力，集中体现在其已达到全球领先水平的“碳化硅G2.0技术平台”上。该平台采用先进的8英寸制造技术，通过器件结构与工艺制程的双重深度优化，实现了“高效率、高功率密度、高可靠性”的核心目标，全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，为新能源汽车主驱、车载电源及日益增长的AI数据中心电源等市场提供了革命性的解决方案。
针对AI数据中心这一高增长、高要求市场，芯联集成碳化硅G2.0电源版技术平台进行了针对性优化。通过对寄生电容设计的精心优化与封装的强化散热设计，该平台成功将开关损耗降低高达30%，同时兼具强化的动态可靠性设计。这一系列突破性创新，使得电源转换效率与系统功率密度得到大幅提升，完美适配服务器电源（SST）、高压直流供电（HVDC）等AI数据中心的关键电源需求，为降低AI算力中心的能耗与运营成本、提升系统稳定性提供了坚实的硬件基础。
技术的领先性直接转化为市场的认可与快速增长。2024年，芯联集成SiC MOSFET收入已超10亿元，并预计在2025年实现50%以上的增长。随着AI数据中心电源需求的爆发式增加，公司预计在该领域将迎来更快的增速发展，其碳化硅G2.0技术平台的核心参数与各类指标均已实现对国际主流厂商最先进水平的全面对标。
从攻克8英寸先进制程，到实现器件与工艺的双重优化；从服务汽车电驱到赋能AI数据中心，芯联集成正以其在碳化硅这一关键宽禁带半导体材料上的重大技术突破，为人工智能产业的绿色、高效、可持续发展构建了强大的底层制造能力与供应链保障，驱动中国AI基础设施核心部件迈向自主与领先的新高度。
2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2025年12月在上海举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度人工智能技术突破奖】
旨在表彰2025年度在人工智能基础理论、核心算法或关键应用领域取得重大原始创新，技术达到国际先进/领先水平，对推动我国人工智能技术自主创新和产业发展具有重大意义的企业或科研机构。
【报名条件】
1、在人工智能某一细分领域（如大模型、计算机视觉、自然语言处理等）取得重大技术突破；
2、创新成果已形成论文发表、专利授权或产品落地；
3、技术具有显著的应用价值和产业化前景。
【评选标准】
1、技术的原创性和突破性（50%）；
2、技术指标的国际领先程度（30%）；
3、潜在的经济社会效益（20%）。
