随着DRAM工艺不断向更小尺寸发展，控制有源区鳍形结构的刻蚀形状成为提高良品率的关键难题。业界普遍观察到所谓的wiggling AA效应，即鳍状结构出现了不均匀的侧壁和弯曲变形，这严重降低了电容效率和器件的可靠性。然而，这种现象的物理根源一直不明确，缺乏系统的表征和机理模型，导致刻蚀工艺难以精确控制。
面对这一挑战，中国科学院微电子研究所的EDA中心研究员陈睿与先导中心的高级工程师李俊杰、闻静，以及维也纳工业大学的Lado Filipovic教授合作，创新性地将聚焦离子束扫描电子显微镜（FIB-SEM）三维重构技术与刻蚀工艺模型深度结合，通过对不同工艺条件下刻蚀过程的仿真和实验，揭示了wiggling AA效应的核心机理和调控机制。
这项研究成果近期发表在Nature工程领域的子刊Communications Engineering上，题为“3D重建和动态随机存取存储器制造中wiggling有源区效应的刻蚀轮廓模拟”。微电子所的博士研究生呼子义是论文的第一作者，陈睿研究员、李俊杰高级工程师和Lado Filipovic教授为共同通讯作者。该研究得到了国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金面上项目、中国科学院国际伙伴计划等项目的支持。
论文链接：https://www.nature.com/articles/s44172-026-00626-3
图1 三维刻蚀模型框架（左上）DRAM有源区鳍形结构的FIB-SEM三维重构结果（左下）与仿真结果（右）。
