刚刚！华米OV存储芯片供应商普冉半导体科创板IPO获受理

集微网消息，8月3日，上交所正式受理了普冉半导体（上海）股份有限公司（以下简称“普冉股份”）的科创板上市申请。

招股书显示，普冉股份的主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售，目前主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片，属于通用型芯片，可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。例如，根据存储需求的不同，公司的NOR Flash产品应用于低功耗蓝牙模块、TWS耳机、手机触控和指纹、TDDI（触屏）、AMOLED（有源矩阵有机发光二极体面板）、可穿戴设备和安全芯片等领域，公司的EEPROM产品应用于手机摄像头模组（含3-D）、智能电表、家电等领域。

在NOR Flash业务方面，普冉股份已经和汇顶科技、恒玄科技、杰理科技、中科蓝讯等主控原厂，深天马、合力泰、华星光电等手机屏幕厂商建立了稳定的业务合作关系，产品应用于三星、OPPO、vivo、华为、小米、联想、惠普等品牌厂商。在EEPROM业务方面，公司已经和舜宇、欧菲光、丘钛、信利、合力泰、三星电机、三赢兴、盛泰等行业内领先的手机摄像头模组厂商以及闻泰科技、华勤通讯、龙旗科技等ODM厂商形成了稳定的合作关系，产品广泛应用于OPPO、vivo、华为、小米、美的等知名厂商的终端产品中。

NOR Flash技术依赖赛普拉斯授权

普冉股份一直专注于存储器芯片的研发和应用，已拥有授权专利20项，其中发明专利19项、实用新型专利1项，拥有集成电路布图设计20项。

普冉股份基于自有知识产权和研发设计平台，在NOR Flash和EEPROM领域都具有优秀的设计能力，是目前市场上少数能够利用SONOS工艺平台完成NOR Flash存储器芯片的研发设计的企业之一。公司能够为客户提供具备超低功耗、快速读写的系列化NOR Flash芯片产品和具备高可靠性的系列化EEPROM产品。

2017至2020年第一季度，普冉股份分别实现营业收入7,780.11万元、17,825.27万元、36,298.96万元、14,202.19万元，收入三年复合增长率为116.00%，分别实现净利润371.79万元、1,337.37万元、3,232.08万元、1,307.31万元，净利润三年复合增长率194.84%。

其中，普冉股份研发投入分别为1,290.91万元、1,345.79万元、3,114.11万元和859.35万元，累计研发投入金额占报告期公司累计营业收入比例为8.68%，研发投入占比较高。

普冉股份表示，公司持续的研发投入保证了公司收入及利润的快速增长。

值得注意的是，报告期内，普冉股份NOR Flash产品的收入分别为4,471.30万元、13,459.31万元、25,467.60万元和10,570.28万元，占当期营业收入比例为57.47%、75.51%、70.16%和74.43%。公司NOR Flash产品使用SONOS工艺结构进行设计。

电荷俘获的SONOS工艺结构是指以ONO堆栈为栅介质的MOS晶体管结构，属于存储器芯片的一种存储单元结构，该工艺结构的专利系赛普拉斯所有，芯片设计公司获得授权后即可进行二次研发。公司选择SONOS工艺结构作为NOR Flash芯片的存储单元结构，并在此基础上进行NOR Flash的产品研发和设计。

目前普冉股份在SONOS工艺结构的基础上，通过逐年的研发和技术积累，已经形成了完备的核心技术体系，目前公司已获得赛普拉斯相关工艺的授权，授权截止时间为2028年12月31日。依据公司和赛普拉斯签署的合作授权协议，授权到期后预计能够正常展期。

募资3.45亿元，持续深耕存储芯片

普冉股份决定申请首次公开发行不超过905.7180万股人民币普通股（A股），本次募集资金将投向于闪存芯片升级研发及产业化项目、EEPROM芯片升级研发及产业化项目和总部基地及前沿技术研发项目。

在闪存芯片升级研发及产业化项目项目中，普冉股份将采用领先于业界的工艺制程，对NOR Flash存储器芯片开展设计研究，实现公司在先进制程、大容量Flash存储器芯片领域的产业化。项目具体研发的产品包括：40nmNOR Flash系列存储器芯片；NewGenNOR Flash系列存储器芯片。本项目的产品将被应用于物联网、蓝牙、智能穿戴设备、指纹识别、智能家居、智能手机等领域。

在EEPROM芯片升级研发及产业化项目中，普冉股份将对工业和消费级以及车载级EEPROM存储器芯片开展设计研究，实现公司EEPROM存储器芯片在多维下游应用领域的产业化。项目具体研发产品包括两部分：其一，公司拟在当前技术积累下，对手机摄像头模组等消费类EEPROM以及智能电表、智慧通信等工业类EEPROM存储器芯片进行升级研发，使其达到更低工作电压和更低功耗；其二，公司拟开发车载EEPROM产品，通过运用纠错校验（ECC）和差分存储技术，使其具备超高擦写能力、超长数据保存时间等特点。

普冉股份表示，闪存芯片的升级研发是完善公司在闪存芯片产品布局的必然选择；EEPROM芯片的更新换代将有利于巩固公司在细分领域的领先地位；总部基地及前沿技术研发项目是解决公司实验场地和办公场地不足问题的必然举措，有助于公司在现有技术储备的基础上突破原有存储器芯片性能并持续进行优化。

关于未来发展战略，普冉股份表示，公司将专注于集成电路设计领域的科技创新，围绕非易失存储器领域，以NOR Flash和EEPROM为核心，不断满足客户对高性能存储器芯片的需求，在持续经营中实现企业的技术积累，保障公司经营业务的可持续发展。（校对/Candy）