三星电子将在2nm工艺中采用GAA技术

集微网消息，三星电子目前正在开发下一代环栅（GAA）技术，旨在应用于计划明年量产的2nm工艺。

据业内消息人士透露，三星电子将在2024年6月16日至20日美国夏威夷举行的半导体会议“VLSI Symposium 2024”上发表有关应用于2nm（SF2）工艺的第三代GAA特性的论文。

VLSI Symposium（超大规模集成电路研讨会）与国际固态电路会议（ISSCC）和IEEE国际电子元件会议（IEDM）一起被认为是全球三大半导体会议之一，这些会议将讨论最新的半导体技术。

三星电子全球首创商业化的GAA技术是下一代晶体管技术，可调节、放大或关闭半导体内的电流。随着半导体变得越来越小，控制电流变得更具挑战性，但GAA重新设计了晶体管架构以提高功率效率。

目前，三星电子是全球唯一量产该技术的公司。三星早在21世纪初就开始研究GAA技术，并于2022年率先应用于3nm代工量产。

然而，由于经济低迷、生产成本高以及移动等特定领域客户有限，对3nm工艺的需求并不大。在这种情况下，3nm工艺的领导地位已转移到与苹果合作的台积电。

对此，三星电子计划在今年内开始量产第二代3nm工艺，并正在推进针对2nm工艺推出第三代GAA，以确保在GAA技术方面的领先地位。台积电和英特尔也计划在下一代2nm工艺中采用GAA技术，标志着行业竞争的一大步。

三星已经开发自己专有的GAA技术“MBCFET”，随着技术的演变，性能和效率不断提高。与之前的5nm工艺相比，基于第一代3nm GAA工艺性能提升23％，面积减少16％，功耗降低45％。即将推出的第二代3nm工艺预计将实现性能提升30%、面积缩小35%、功耗降低50%。第三代MBCFET预计还将实现显著的性能改进，功耗降低50%以上，并且由于面积减小而集成度更高。

三星电子还致力于利用第三代GAA技术来加强2nm代工生态系统。三星目前与50多家IP伙伴合作，拥有4000多个IP。今年早些时候，三星启动了与全球IP公司Arm的合作，以增强GAA工艺的可行性，旨在减少开发下一代产品的时间和成本，并确保需要用于移动和高性能计算（HPC）的高性能、低功耗半导体的客户需求。

（校对/刘昕炜）