1.陪审团审判取消后，飞利浦放弃针对泰雷兹的专利FRAND诉讼
2.华勤技术斩获服务器”快拆技术”新专利
3.泰科天润“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利公布
4.积塔半导体“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布
5.元感微电子“一种抑制角振动的MEMS陀螺”专利公布
1.陪审团审判取消后，飞利浦放弃针对泰雷兹的专利FRAND诉讼
荷兰电子巨头皇家飞利浦公司同意放弃针对一家法国电子品牌泰雷兹（Thales）的专利案件，此前双方同意取消特拉华州联邦法院的陪审团审判，该审判将确定涵盖遵守3G和4G电信标准方式的专利许可费率。
该规定由飞利浦和泰雷兹的律师提出，泰雷兹是一家总部位于巴黎的公司，自称是“全球领先的工业SIM、eSIM 和eUICC供应商”，这些芯片用于手机中。8月5日，美国地区法官Colm Connolly取消了原定于8月12日在威尔明顿开始的陪审团审判。
根据双方提交的裁决书，陪审团本将负责确定两家公司之间假设许可协议的各种细节，以确定飞利浦专利的公平、合理和非歧视性（FRAND）许可费率，这些专利现在已成为更新的主要电信标准的一部分。
根据协议，飞利浦并未放弃对另外三家在同一起飞利浦诉讼中成为目标公司的专利主张：CalAmp、Laird Connectivity和移远通信（Quectel Wireless）。这些案件都没有像针对泰雷兹这样进展顺利。
2.华勤技术斩获服务器”快拆技术”新专利
华勤技术在数据中心领域的多年深耕取得了显著成果，尤其是在快拆技术方面积累了众多优秀的方案。其中，专利案例 CN115047949B——一种硬盘托架及服务器机箱，展现了华勤技术在该领域的创新实力。
该专利技术于 2022 年 6 月 30 日申请，并于 2023 年 11 月 21 日在中国获得授权。它属于硬盘快拆技术领域，具有较高的创新性和平台通用性。
本发明提供的一种硬盘托架的爆炸图
这项技术的核心在于解决了现有技术中硬盘和硬盘托架连接方式难以实现快速插拔操作的问题，极大地提高了硬盘维护及管理的便捷度和效率。通过在托架主体上设置固定侧支架和可滑动的活动侧支架，利用活动侧支架的滑动改变与固定侧支架之间的距离，从而实现硬盘的固定或脱出。
随着AI时代的快速发展，对数据业务的要求越来越多元化、个性化，对服务器的要求不仅需要具备更高的性能、更强的扩展性、更好的稳定性和可靠性，也需要更灵活、便捷、高效的维护及运营方案，以满足不同应用场景的需求。这一创新专利方案可以免工具更换硬盘，不仅提高了服务器的维护和产线组装的效率，降低了维护成本，节约了环境资源，还将为数据中心的运营管理及产业链整合提供更便捷的解决方案。
华勤技术自2017年开始布数据中心领域，业务涵盖通用服务器，AI服务器、网络等全栈产品，一方面为国内云厂商提供规模化的全栈式产品，同时也打造具有竞争力的标品，服务于更多行业合作伙伴以及客户，兼容从云到端的各项AI需求。2022年开始，公司数据业务持续高速增长，2023年实现营收三倍增长，AI服务器实现首发。
公司高度重视技术创新及自主研发能力，当前服务器业务在“快拆领域”进行多项研发投入，包括快速更换GPU、免工具更换风扇、快速拆装液冷冷板、液冷GPU卡盲插方案等，进一步加强适配性、便捷性，提高效率，以应对AI时代更为多元化、个性化的市场需求。未来，华勤将继续在技术创新方面加大投入，不断推动服务器创新技术的发展，为行业的进步做出更大的贡献。（华勤技术）
3.泰科天润“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利公布
天眼查显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118471811A。
本发明提供了一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法，包括：在碳化硅衬底的一侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底的另一侧面淀积生长形成漂移层；在漂移层上方淀积阻挡层，刻蚀，离子注入形成低阻结构层、阱区和源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对通孔进行金属淀积，形成源极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成栅介质层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀，金属淀积，形成栅极金属层，所述栅极金属层位于低阻结构层和源区之间的阱区上方；去除阻挡层，完成制造，降低了栅极控制反型区面积，进而降低了栅极电荷，降低了器件的驱动损耗。
4.积塔半导体“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布
天眼查显示，上海积塔半导体有限公司“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118471899A。
本发明提供了一种基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法。本发明通过两次多晶硅生长刻蚀工艺，使得所形成的栅氧化层以及栅极的膜层厚度满足MOSFET器件的相应工艺厚度要求的同时，所形成的浅沟槽隔离结构的顶面高于半导体衬底的表面，浅沟槽隔离结构的侧壁与栅氧化层相接触，能够避免在后续刻蚀第二多晶硅层过程中对浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层的破坏，实现对浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层的保护，增加浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层工艺厚度，最终优化TDDB的可靠性，使得MOSFET器件拥有更高的击穿电压以及更长的可靠性寿命。
5.元感微电子“一种抑制角振动的MEMS陀螺”专利公布
天眼查消息显示，南京元感微电子有限公司“一种抑制角振动的MEMS陀螺”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118463957A。
本发明涉及陀螺技术领域，公开一种抑制角振动的MEMS陀螺，包括：四个科氏耦合块；四个驱动组件，每个驱动组件均包括驱动质量块和驱动电极；四个检测组件，每个检测组件均包括检测质量块和检测电极，检测第三方向的角速度时，检测质量块随科氏耦合块沿第一方向运动，检测电极用于检测第三方向的角速度；解耦梁，包括检测解耦梁和驱动解耦梁；模态调整梁，包括驱动模态外调整梁和检测模态外调整梁；驱动耦合梁以及检测耦合梁。本发明公开的抑制角振动的MEMS陀螺，不仅具有较高的环境鲁棒性、较优异的零偏性能、较低的正交误差以及较高的灵敏度，还增大了干扰模态和工作模态的频差，降低了干扰信号对测量的误差。
