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一张图看清大陆台湾先进制程差距

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来源: 集微网   发布者:集微网
热度71票  共0条评论】【我要评论 时间:2017年12月30日 05:56

集微网消息,来自digitimes的数据,中芯国际的技术策略为对先进制程投入研发并尽早导入量产,由技术蓝图观察,14纳米FinFET制程计划于2019年下半导入量产。

中芯28nm制程早于2015年第3季导入量产并对营收产生贡献,占营收比重也由2015年第3季0.1%攀升至2017年第3季8.8%,主要仍来自PolySiON制程,客户也仅限于高通。

HKMG制程因良率不佳,对中芯营收贡献微乎其微。

中芯规划于2018年下半推出28纳米HKC+平台。

2020年上半台积电规划量产采极紫外光(EUV)制程的5纳米FinFET制程,届时台积电与中芯技术差距将拉大至3个世代。

至2017年底,华力微电子虽仍以55nm制程为主力,但来自40nm制程占营收比重由2015年7%攀升至2017年25%。

次世代28纳米PolySiON制程预估至2018年下半导入量产。

当2019年第4季格芯22纳米FD-SOI制程导入量产,预期对中芯与华力微28纳米制程代工价格产生不利影响。



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