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Intel 10nm工艺揭秘:晶体管密度比肩台积电/三星7nm

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来源: 集微网   发布者:集微网
热度56票   时间:2018年6月14日 17:44
摘要:Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术,晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称),是目前14nm的足足2.7倍!

集微网消息,作为科技行业著名的“牙膏厂”,英特尔一直走在所有厂商前面。因为它的10nm制程已经跳票三年之久,每当一款新的处理器发布,众人翘首以待10nm的到来,可英特尔还是给用户泼冷水,继续跳票10nm工艺。

对于很多用户而言,都在疑问为何英特尔一直跳票10nm呢?因为相比起同期的台积电、三星等厂商,10nm工艺早已经量产上市,并已推出苹果A11、Exynos 9810等芯片,而作为PC领域中的大哥人物,为何英特尔跟不上潮流的发展呢?而今天,外媒TechInsight就给出了一份满意的答复。

目前,Intel 10nm处理器已经小批量出货,已知产品只有一款低压低功耗的Core i3-8121U,由联想IdeaPad 330笔记本首发。

TechInsight分析了这颗处理器,获得了一些惊人的发现,直接证实了Intel新工艺的先进性。


分析发现,Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术,晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称),是目前14nm的足足2.7倍!

作为对比,三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个,仅相当于Intel的一半多,7nm则是每平方毫米1.0123亿个,勉强高过Intel 10nm。

至于台积电、GF两家的7nm,晶体管密度比三星还要低一些。

换言之,仅晶体管集成度而言,Intel 10nm的确和对手的7nm站在同一档次上,甚至还要更好!

另外,Intel 10nm的最小栅极间距(Gate Pitch)从70nm缩小到54nm,最小金属间距(Metal Pitch)从52nm缩小到36nm,同样远胜对手。

事实上与现有其他10nm以及未来的7nm相比,Intel 10nm拥有最好的间距缩小指标。

Intel 10nm的其他亮点还有:

- BEOL后端工艺中首次使用了金属铜、钌(Ru),后者是一种贵金属

- BEOL后端和接触位上首次使用自对齐曝光方案(self-aligned patterning scheme)

- 6.2-Track高密度库实现超级缩放(Hyperscaling)

- Cell级别的COAG(Contact on active gate)技术

当然了,技术指标再先进,最终也要转换成有竞争力的产品才算数。(校对/茅茅)


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