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力晶黄崇仁:明年DRAM恐仍缺货

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来源: 经济日报   发布者:经济日报
热度28票   时间:2017年4月20日 04:55
力晶集团执行长黄崇仁昨表示,第五代行动通讯(5G)快速兴起,将启动大量影像传输需求,加上汽车电子及云端服务器快速成长,将开启另一波内存(DRAM和Flash)强劲需求,但供给端都遭遇程技术瓶颈,预料明年DRAM还是会缺货。

市场担心中国大陆大举投入发展内存产业,恐让未来发展蒙阴影,但黄崇仁以多年经验及对市场敏锐度,强调DRAM和Flash前景仍看好,尤其DRAM到明年底都还会缺货。

黄崇仁分析,台湾与南韩两地,过去五年都未见兴建DRAM新厂,虽然中国大陆倾全力发展内存业,但都遭美光、三星和SK海力士等主要大厂反制,发展遇到瓶颈。

此外,DRAM制程进入二○奈米后,投资成本昂贵,到目前为止,三大厂增产都相当节制,DRAM供给增加速度远低于需求成长速度,预料缺口还是一直存在。

在需求端的应用,过去DRAM几乎全靠个人计算机支撑,如今个人计算机占DRAM总量已不到百分之廿,市场快速分散至智能型手机、服务器、网通和各项消费型电子。

值得注意是,南韩已决定全面布建5G,传输速率比4G快一百倍,因应大量影像传输需求,将成为全球建置标准,推动全球数据中心建置会持续成长,加上汽车电子应用增加,都将推升另一波DRAM和Flash产业成长。

黄崇仁引用未来手机导入内存的新发展,有许多AP厂商希望将内存堆栈一起生产;日本感测芯片大厂,也利用系统级封装(SiP)技术,把传感器、手机芯片和内存封迭起来,导入在智能型手机,未来也会应用在物联网。



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