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美光在美起诉联电及晋华侵害DRAM营业秘密

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来源: 集微网   发布者:集微网
热度41票   时间:2017年12月08日 06:37
集微网消息,美光科技在美国加州提起民事诉讼,控告联电及福建晋华侵害DRAM的营业秘密。 联电表示绝无任何侵害他人权益,将循法律途径维护公司权益。

美光表示,该公司依据保护营业秘密法,与反勒索及受贿组织法的民事条款,控告联电与福建晋华窃取其商业机密及其他不当行为;美光将积极保护其全球知识产权,以一切法律途径,遏止任何不法滥用行为。

美光先前爆发内贼案,原本任职美光中科厂的何姓课长与王姓副理,相继跳槽联电,无故持有美光的营业秘密,并意图在中国大陆地区使用。 台中地检署认为,联电未积极采取防止员工侵害他人营业秘密,依妨害营业秘密罪将联电与何男等人一并起诉。

今年九月初,台中地检署查出台湾美光的何姓、王姓员工跳槽到联电,涉嫌将美光DRAM技术泄漏给联电,帮助联电开发32nm DRAM设计规则可迅速完成,依违反营业秘密法等罪嫌,起诉何姓、王姓男子、联电的戎姓协理及联电公司。


针对美光科技在美国加州对其提起民事诉讼控告联电侵害营业秘密一事,联电表示将委请律师处理,以维护公司权益及商誉。 联电强调,公司向来尊重他公司之知识产权,绝无任何侵害他人权益之情事。 多年来投入大量资源研发半导体制程技术,并拥有多项专利,将循法律途径维护公司权益。


去年五月,联电宣布与福建省晋华集成电路公司签约合作,联电接受晋华委托开发DRAM相关制程技术。

有关联电与晋华合作,台湾地检署调查系由晋华提供三亿美元资金采购研发设备,并依进度陆续支付联电四亿美元,开发成果双方共有,整体技术完成后,再转移到晋华进行量产。




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